[发明专利]图像传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910649238.X | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110233160A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 方欣欣;夏春秋;李春杰;方明旭 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂层 离子注入区域 图像传感器 光电转换能力 耗尽层 衬底 半导体 半导体器件 光电二极管 光生载流子 掺杂离子 导电类型 注入离子 入射光 制作 包围 申请 制造 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
第一掺杂层；
第一离子注入区域，位于所述第一掺杂层内，其中，所述第一离子注入区域的注入离子与所述第一掺杂层的掺杂离子的导电类型相反；
外延层，位于所述第一掺杂层表面；
第二离子注入区域，所述第二离子注入区域位于所述外延层内，并延伸至所述第一离子注入区域；
掺杂隔离结构，所述掺杂隔离结构位于所述第二离子注入区域两侧并贯穿所述第一掺杂层，其中，所述掺杂隔离结构的掺杂离子与所述第二离子注入区域的注入离子的导电类型相反。
2.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述第一离子注入区域的注入离子和所述第二离子注入区域的注入离子导电类型相同。
3.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述外延层的厚度为0.5微米至1.5微米。
4.如权利要求1所述图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度为1微米至4微米。
5.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一掺杂层；
在所述第一掺杂层中形成第一离子注入区域，其中，所述第一离子注入区域的注入离子与所述第一掺杂层的掺杂离子的导电类型相反；
在所述第一掺杂层上形成外延层；
在所述外延层中形成第二离子注入区域，所述第二离子注入区域延伸至所述第一离子注入区域；
在所述第二离子注入区域两侧形成掺杂隔离结构，所述掺杂隔离结构贯穿所述第一掺杂层，其中，所述掺杂隔离结构的掺杂离子与所述第二离子注入区域的注入离子的导电类型相反。
6.如权利要求5所述图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述第一掺杂层的方法为：在所述半导体衬底表面外延生长P型掺杂的外延硅。
7.如权利要求5所述图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述第一离子注入区域的方法包括：在所述第一掺杂层中进行第一离子注入。
8.如权利要求5所述图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述第二离子注入区域的方法包括：在所述外延层中进行第二离子注入，其中，所述第二离子注入和第一离子注入的注入离子导电类型相同。
9.如权利要求5所述图像传感器的制作方法，其特征在于，所述外延层的厚度为0.5微米至1.5微米。
10.如权利要求5所述图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度为1微米至4微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
