[发明专利]用于处理基板的装置和方法有效
申请号: | 201910649246.4 | 申请日: | 2019-07-18 |
公开(公告)号: | CN110739245B | 公开(公告)日: | 2023-02-17 |
发明(设计)人: | 朴晃秀;刘俊浩 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜;王丽 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 方法 | ||
一种用于处理基板的方法,包括:基板处理步骤:在加工容器的加工空间中通过将处理液体滴涂到被支撑在支撑板上的基板上来处理所述基板,以及容器清洁步骤:通过将清洁溶液滴涂到被支撑在旋转支撑板上的夹具上来清洁所述加工容器。在所述容器清洁步骤中,所述夹具被定位成使得所述夹具的中心偏离所述支撑板的中心。
技术领域
本文中所描述的本发明构思的实施方式涉及用于处理基板的装置和方法,更具体地涉及基板处理装置和用于清洁加工容器的方法。
背景技术
执行诸如光刻、蚀刻、灰化、薄膜沉积、清洁等各种工艺来制作半导体器件或平面显示面板。在这些工艺之中,光刻、蚀刻、灰化和清洁工艺包括通过将处理液体滴涂到基板上而利用处理液体处理基板的工艺。
光刻工艺包括涂覆步骤、曝光步骤和显影步骤。该涂覆步骤为用光敏液体(诸如光刻胶)涂覆基板的涂覆工艺,并且通过加工容器回收所使用的光敏液体的一部分。
参照图1,在相关领域中的基板涂覆装置包括液体滴涂构件2、壳体3、基板支撑构件4和加工容器5。基板支撑构件4支撑并旋转基板W,且加工容器5围绕基板支撑构件4。将光敏液体滴涂到基板W上,并且通过加工容器5的回收线路回收所使用的光敏液体。光敏液体(其为具有粘度的化学品)在回收工艺中粘附到加工容器5的内侧。由于这点,导致必须在对基板W执行涂覆工艺之后执行用于清洁加工容器5的内侧的清洁工艺。
通过朝向旋转基板W的中心滴涂清洁溶液以及使得滴涂的清洁溶液在被散射到基板W之外时与加工容器5碰撞来执行清洁工艺。然而,在该情况下,可能使清洁效率变差,这是由于基板W与加工容器5的内侧之间的相对较长的距离6。为了解决该问题,在相关领域中提出了一种增大用于清洁加工容器5的基板W的尺寸的方法。然而,用于清洁加工容器5的基板W的尺寸的增大对针对用于执行处理工艺的基板W的尺寸所最佳地设置的基板处理设备系统有影响。
发明内容
本发明构思的实施方式提供用于提高清洁加工容器的效率的装置和方法。
本发明构思的实施方式提供用于提高加工容器的清洁效率的装置和方法,而在基板处理设备系统中无变化。
由本发明构思解决的技术问题不限于前述问题,并且本发明构思所属的领域中的技术人员将从如下描述清楚地理解本文中未提及的其它技术问题。
根据示例性实施方式,一种用于处理基板的方法包括:基板处理步骤:在加工容器的加工空间中通过将处理液体滴涂到支撑在支撑板上的所述基板上来处理所述基板;以及容器清洁步骤:通过将清洁溶液滴涂到支撑在旋转支撑板上的夹具上来清洁所述加工容器。在所述容器清洁步骤中,所述夹具被定位成使得所述夹具的中心偏离所述支撑板的中心。
根据一实施方式,在所述容器清洁步骤中可以改变所述支撑板与所述加工容器之间的相对高度。
根据一实施方式,可以通过电机改变所述加工容器的高度。
根据一实施方式,所述夹具具有与所述基板相同的尺寸。
根据示例性实施方式,一种用于处理基板的装置包括:加工容器,所述加工容器具有在内部的加工空间;基板支撑单元,所述基板支撑单元在所述加工空间中支撑并旋转所述基板或夹具;液体滴涂单元,所述液体滴涂单元包括滴涂用于处理所述基板的处理液体的处理液体滴涂构件、和滴涂用于清洁所述加工容器的清洁溶液的清洁溶液滴涂构件;以及控制器,所述控制器控制所述基板支撑单元和所述液体滴涂单元。所述基板支撑单元包括支撑板,所述基板被放置在所述支撑板上。所述控制器配置成执行:基板处理步骤:通过将所述处理液体滴涂到放置在所述支撑板上的所述基板上来处理所述基板,以及容器清洁步骤:通过将所述清洁溶液滴涂到放置在所述支撑板上的所述旋转夹具上来清洁所述加工容器。在所述容器清洁步骤中,将所述夹具支撑在所述支撑板上使得所述夹具的中心偏离所述支撑板的中心。
根据一实施方式,所述夹具可以具有圆形形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造