[发明专利]双极型晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910649263.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110459470A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 梅本康成;小屋茂树;黑川敦 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 舒艳君;王秀辉<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 子集电极层 杂质层 双极型晶体管 基极层 薄膜电阻 集电极层 集电极电极 集电极电阻 发射极层 基极电极 浓度减少 依次层叠 集电极 电容 配置 制造 | ||
1.一种双极型晶体管，具备：
子集电极层，其是具有第一面和该第一面的背面亦即第二面的子集电极层，且具有形成于所述第一面的集电极电极；
基极层，其是具有第三面和该第三面的背面亦即第四面的基极层，且具有形成于所述第三面的基极电极；
集电极层，其是具有与所述第四面接触的第五面和与所述第一面接触且是所述第五面的背面的第六面，该集电极层具备配置为从所述第六面朝向所述第五面杂质浓度减少的多个杂质层；以及
发射极层，其形成于所述第三面，
所述多个杂质层包含所述多个杂质层中杂质浓度最大且与所述第一面接触的第一杂质层，
所述第一杂质层的厚度是所述子集电极层的厚度的1/9倍以上10倍以下。
2.一种双极型晶体管的制造方法，包含:
形成子集电极层的工序；
形成集电极层的工序；
形成基极层的工序；以及
形成发射极层的工序，
所述子集电极层具有第一面和该第一面的背面亦即第二面，
所述基极层具有第三面和该第三面的背面亦即第四面，
所述集电极层具有与所述第四面接触的第五面、和与所述第一面接触且是所述第五面的背面的第六面，
形成所述集电极层的工序包含将多个杂质层形成为从所述第六面朝向所述第五面杂质浓度减少的工序，
形成所述发射极层的工序包含在所述第三面形成发射极层的工序，
所述多个杂质层包含所述多个杂质层中杂质浓度最大并且与所述第一面接触的第一杂质层，
所述第一杂质层的薄膜电阻为所述子集电极层的薄膜电阻的9倍以下。
3.根据权利要求2所述的双极型晶体管的制造方法，其中，
形成所述集电极层的工序包含以相同的制造工序连续地形成所述多个杂质层的工序。
4.根据权利要求2或3所述的双极型晶体管的制造方法，其中，
形成所述集电极层的工序包含以相同的工序连续蚀刻除去所述多个杂质层的不必要的部分的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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