[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成停止层；

在所述停止层表面形成介电层；

在所述介电层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述停止层表面；

对所述第一开口底部的停止层进行改性处理，形成改性层；

去除所述改性层，形成第二开口，所述第二开口暴露出所述衬底表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，对所述第一开口暴露出的所述停止层进行改性处理的工艺为等离子体处理工艺。

3.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述停止层的材料包括氮化铝、氧化铝或氮化硅；所述改性层的材料包括铝或氧化硅。

4.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述等离子处理工艺的气体包括：氢气和氩气的混合气体，所述氢气的体积比大于20％；或者，所述等离子处理工艺的气体为氧气。

5.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，去除所述改性层的工艺包括湿法刻蚀工艺；所述湿法刻蚀工艺采用的溶液包括：NH₂OH溶液或者HF溶液。

6.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述衬底包括基底和位于基底上的隔离层，所述隔离层内具有互连结构，所述隔离层暴露出部分互连结构表面。

7.如权利要求6所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第二开口暴露出所述互连结构表面。

8.如权利要求6所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述互连结构的材料包括金属，所述金属包括铜、钨、钴和钌其中一种或多种的组合。

9.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述介电层包括：位于停止层上的第一介电层和位于第一介电层上的第二介电层；所述第一开口位于所述第二介电层和第一介电层内。

10.如权利要求9所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第一介电层的材料包括氧化硅、氮化硅或硅；所述第二介电层的材料包括氧化硅、氮化硅或硅。

11.如权利要求9所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在所述第一介电层和第二介电层内形成第一开口的方法包括：在所述第二介电层表面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出部分第二介电层表面；以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述第二介电层和第一介电层，直至暴露出所述停止层表面，形成所述第一开口。

12.如权利要求11所述的半导体结构形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二介电层和第一介电层的工艺包括干法刻蚀工艺。

13.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二开口内形成导电插塞。

14.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述停止层的形成工艺包括沉积工艺。

15.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述介电层的形成工艺包括沉积工艺。

16.一种如权利要求1至15任一项方法所形成的半导体结构。