[发明专利]一种光谱下转换减反膜、制作方法及叠层太阳能电池在审
申请号: | 201910649987.2 | 申请日: | 2019-07-18 |
公开(公告)号: | CN110246908A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 郑将辉;徐成;易海芒 | 申请(专利权)人: | 深圳黑晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/055;H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人: | 叶垚平;李立 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田区莲花*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光谱 叠层太阳能电池 基质材料层 下转换材料 绒面层 转换 陷光 透明基质材料 紫外稳定性 太阳能电池 高能光子 陷光性能 性能提升 转换功能 紫外响应 钙钛矿 硅叠层 上端 制作 应用 | ||
1.一种光谱下转换减反膜,用于太阳能电池,其特征在于,包括:
基质材料层,所述基质材料层为透明基质材料;
陷光绒面层,所述陷光绒面层设置在所述基质材料层的上端;
光谱下转换材料,所述光谱下转换材料均匀分布于所述光谱下转换减反膜内;
其中,所述光谱下转换材料占所述透明基质材料的质量比例为0.001-30%,所述陷光绒面层的厚度在0.01-20mm范围内。
2.根据权利要求1所述的光谱下转换减反膜,其特征在于,所述基质材料层包括醋共聚物、聚乙烯醇缩丁醛、聚二甲基硅氧烷和聚烯烃中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的光谱下转换减反膜,其特征在于,所述陷光绒面的形状包括正金字塔形、倒金字塔形、随机陷阱形、花瓣表面形和树叶表面形中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的光谱下转换减反膜,其特征在于,所述光谱下转换材料为固体或液体;和/或,
所述光谱下转换材料的吸收波长在200-500nm内,所述光谱下转换材料的发射波长在400-1200nm范围内;
在所述光谱下转换材料为固体时,所述固体的粒径大小在1nm-1mm范围内。
5.根据权利要求1所述的光谱下转换减反膜,其特征在于,所述光谱下转换材料包括稀土掺杂发光材料、钒酸盐自发光材料、钨酸盐自发光材料、量子点发光材料和有机染料中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的光谱下转换减反膜,其特征在于,在所述光谱下转换材料包括稀土掺杂发光材料时,
所述稀土掺杂发光材料包括硅酸盐、硼酸盐、钨酸盐、钒酸盐、氯铝酸盐、氮化物、氮氧化物、和磷酸盐中的至少一种;
所述稀土掺杂发光材料的稀土掺杂剂包括Eu2+、Eu3+、Ce3+、Tb3+、Sm3+、Dy3+、Po3+、Pr3+、Ho3+稀土元素中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的光谱下转换减反膜,其特征在于,在所述光谱下转换材料包括量子点发光材料时,
所述量子点发光材料包括PbS、PbSe、ZnO、CsPbI3、CsPbBr3、ZnS、CuGaS2/ZnS、CsPbCl1.5Br1.5:Yb3+,Ce3+和CdxZn1-xS/ZnS材料中的至少一种。
8.根据权利要求5所述的光谱下转换减反膜,其特征在于,在所述光谱下转换材料包括有机染料时,
所述有机染料包括罗丹明类染料、氟硼荧光染料、香豆素类染料、三苯胺类染料、咔唑类染料和金属络合染料中的至少一种。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的光谱下转换减反膜的制作方法,其特征在于,包括:
将光谱下转换材料和固化剂以10:1的质量比进行液体混合作为基质并称量;
将光谱下转换材料掺入称量好的液体中,混合均匀;
将混合后的液体倒入磨具中,制备陷光绒面;
静置固化。
10.一种叠层太阳能电池,其特征在于,包括:
底电池层,所述底电池层为采用基于Al-BSF或基于PERC的同质结硅太阳能电池;
顶电池层,所述顶电池为采用透明钙钛矿电池作为叠层的顶电池;
隧穿层,所述隧穿层连接所述底电池层与所述顶电池层;
如权利要求1-8任一项所述的光谱下转换减反膜,设于所述顶电池的上部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳黑晶光电科技有限公司,未经深圳黑晶光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910649987.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的