[发明专利]普陀水仙多倍体植株的培育方法

权利要求书

1.普陀水仙多倍体植株的培育方法，所述多倍体植株通过同基因的三倍体普陀水仙祖代的鳞茎片中的基因组倍增获得，其特征在于：所述基因组倍增通过以下方式实施：

a，将鳞茎片进行应激预培养；

b，将磁场作用于所述预培养后的鳞茎片；

c，在所述磁场下用诱变剂接触所述鳞茎片，从而产生多倍体鳞茎片；

d，将多倍体鳞茎片进行继代培养，得到多倍体纯合体的芽体；

e，将所述多倍体纯合体的芽体培育生根并培养成多倍体普陀水仙植株；

所述培养所得多倍体普陀水仙植株的生长速度至少相同于所述同基因的三倍体普陀水仙祖代；

所述多倍体普陀水仙植株是六倍体；所述多倍体普陀水仙植株经至少5次传代能保持基因组稳定性，且具有：

1）平均花序数超过三倍体普陀水仙祖代25-40%；

2）花期较三倍体普陀水仙祖代延长4-10天；

3）叶片面积较三倍体普陀水仙祖代增加20-35%；

所述应激预培养为热应激或渗透压应激；所述应激预培养在诱变剂接触鳞茎片前1-2d进行；

所述热应激操作条件为：水浴温度为35-50℃，周期为1-2d，单次水浴时间为1-2h，间隔时间为6-8h；

所述渗透压应激操作条件为：高渗透压溶液糖浓度为5-7%，周期为1-2d，单次使用高渗透压溶液的时间为10-30min，间隔时间为6-8h；

所述作用于鳞茎片的磁场的强度为0.15-0.5T，所述磁场作用时间为诱导产生多倍体鳞茎片的整个周期内；

所述诱变剂由2-5wt%的秋水仙素、0.3-0.5wt%的维甲酸和0.05-0.2wt%的2-羟基苯乙酮分散于二甲基亚砜中得到；所述诱变剂在诱变培养基中的重量占比为5-15%；

所述继代培养所用培养基为以MS培养基为基本培养基，6-BA浓度为1.5mg/L、NAA浓度为0 .1mg/L、蔗糖含量为3wt％的芽诱导培养基；

所述培育生根所用培养基为以MS培养基为基本培养基，6-BA浓度为1-2mg/L、NAA浓度为0.1-0.5mg/L、蔗糖浓度为2-4wt%、3-羟基-2-丁酮浓度为0.15mg/L和吡啶二羧酸浓度为0.07mg/L的生根培养基；

所述产生多倍体鳞茎片的培养条件为：温度为20-25℃，摇床震荡培养转速为100-300r/min，光照时间为12-16h/d，光照强度为600-1000Lx，培养周期为2-3d。

2.如权利要求1所述的普陀水仙多倍体植株的培育方法在多倍体水仙培育中的用途。