[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板在审

专利信息
申请号: 201910650186.8 申请日: 2019-07-18
公开(公告)号: CN110379930A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 苏同上;王东方;程磊磊;王庆贺;闫梁臣 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 第一电极 阵列基板 发光层 衬底 第二电极 顶发射型 发光器件 显示面板 制备 厚度均匀 显示效果 亚像素区 段差
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底、设置于所述衬底上且位于每个亚像素区的顶发射型发光器件;

所述顶发射型发光器件包括第一电极、设置于所述第一电极远离所述衬底一侧的第二电极、以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层;

在所述发光层与所述第一电极重叠的区域,所述发光层的厚度均匀且无段差。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:设置于每个所述亚像素区的像素电路;

所述像素电路与所述顶发射型发光器件之间还设置有绝缘层,所述顶发射型发光器件位于所述绝缘层远离所述像素电路一侧;所述第一电极通过设置于所述绝缘层上的过孔与所述像素电路电连接;

在所述发光层与所述第一电极重叠的区域,所述绝缘层的上表面平坦。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层包括无机绝缘子层和有机绝缘子层;

所述有机绝缘子层位于所述无机绝缘子层远离所述衬底的一侧;

所述无机绝缘子层在与所述发光层重叠的区域中的上表面平坦;所述有机绝缘子层厚度均匀。

4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,还包括:与所述像素电路连接的信号线;

所述信号线在其延伸方向上,至少部分位于所述衬底与所述顶发射型发光器件之间。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极;或者,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极。

6.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:

在衬底上每个亚像素区依次形成第一电极、发光层以及第二电极,制备得到顶发射型发光器件;

在所述发光层与所述第一电极重叠的区域,所述发光层厚度均匀且无段差。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在形成所述顶发射型发光器件之前,所述阵列基板的制备方法还包括:

在每个所述亚像素区内形成像素电路;

在形成所述像素电路的衬底上,形成无机绝缘薄膜;

在所述无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶;

采用半色调掩膜板对形成所述光刻胶进行曝光,显影后形成光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶完全去除部分;其中,所述光刻胶完全去除部分对应待形成第一过孔的区域;所述光刻胶半保留部分至少对应所述第一电极与所述发光层重叠的区域中凸出部分所在区域;所述光刻胶完全保留部分对应其他区域;

采用刻蚀工艺,去除所述光刻胶完全去除部分露出的部分厚度的所述无机绝缘薄膜;

采用灰化工艺去除所述光刻胶半保留部分的所述光刻胶;

采用刻蚀工艺去除待形成所述第一过孔区域内的剩余所述无机绝缘薄膜,同时去除所述光刻胶半保留部分的所述光刻胶被去除后,露出的所述无机绝缘薄膜的部分厚度,使得位于所述发光层与所述第一电极重叠的区域的所述无机绝缘薄膜表面平坦;

采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶,得到所述无机绝缘子层;

在所述无机绝缘子层上形成厚度均匀的有机绝缘子层,所述有机绝缘子层包括与所述第一过孔一一对应且层叠的第二过孔,所述第二过孔的尺寸大于所述第一过孔的尺寸;

所述第一电极通过层叠的所述第二过孔和所述第一过孔与所述像素电路电连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述像素电路包括驱动晶体管;

在形成无机绝缘子层的过程中,所述光刻胶半保留部分还对应于所述无机绝缘薄膜与所述驱动晶体管的源极和漏极重叠的部分区域。

10.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,还包括:在形成像素电路时,同步形成与所述像素电路连接的信号线;至少部分所述信号线位于所述衬底与待形成的所述顶发射型发光器件之间;

在形成无机绝缘子层的过程中,所述光刻胶半保留部分对应于所述顶发射型发光器件与所述信号线重叠的区域。

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