[发明专利]存储器控制器及操作该存储器控制器的方法有效

专利信息
申请号: 201910650456.5 申请日: 2019-07-18
公开(公告)号: CN111104059B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 朴世昶 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王璇;赵永莉
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 控制器 操作 方法
【说明书】:

可以在实施例中实施本专利文件中公开的技术,以提供一种被配置为控制存储器装置的存储器控制器以及操作存储器控制器和存储器装置的方法。该存储器控制器可以控制包括多个页面的存储器装置,并且可以包括:命令分析单元,被配置为生成指示针对从多个页面之中选择的页面的读取命令的类型的命令信息;以及初始化时间决定单元,被配置为基于命令信息决定用于初始化包括在所选择页面中的多个存储器单元的通道的通道初始化时间。

相关申请的交叉引用

本专利文件要求于2018年10月29日提交的申请号为10-2018-0130280的韩国专利申请的优先权和权益,其通过引用整体并入本文。

技术领域

所公开技术的各个实施例总体涉及一种电子装置,并且更特别地,涉及一种存储器控制器及操作该存储器控制器的方法。

背景技术

存储装置是能够将数据存储在存储介质中的装置。诸如个人计算机、智能手机或平板计算机的计算装置可以使用这种存储装置以保存数据文件。存储装置的示例包括,例如使用磁盘作为存储介质的硬盘驱动器(HDD),以及使用诸如非易失性存储器的半导体存储器作为存储介质的固态驱动器(SSD)或存储卡。

使用半导体存储器来实施的存储装置可以包括多个存储器装置和存储器控制器,存储器控制器控制存储器装置以在存储器装置中存储数据并且从存储器装置检索数据。这种存储器装置可以分为易失性存储器和非易失性存储器。非易失性存储器的代表性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、以及铁电RAM(FRAM)。

发明内容

所公开技术的各个实施例涉及一种具有提高的操作速度的存储装置,以及操作该存储装置的方法。

所公开技术的实施例可以提供一种存储器控制器,该存储器控制器用于控制包括多个页面的存储器装置,其中存储器控制器被配置为对存储器装置运行读取命令。存储器控制器可以包括:命令分析单元,被配置为生成指示针对从多个页面之中选择的页面的读取命令的类型的命令信息;以及初始化时间决定单元,被配置为基于命令信息决定用于初始化包括在所选择页面中的多个存储器单元的通道的通道初始化时间。

所公开技术的实施例可以提供一种操作存储器控制器的方法,该存储器控制器控制包括多个页面的存储器装置,并且被配置为对存储器装置运行读取命令。该方法可以包括:生成指示针对从多个页面之中选择的页面的读取命令的类型的命令信息;并且基于命令信息,决定用于在执行对应于读取命令的读取操作时初始化包括在所选择页面中的多个存储器单元的通道的通道初始化时间。

附图说明

图1是示出存储装置的示例的框图。

图2是示出图1的初始化时间控制单元的结构的示例的示图。

图3是示出图2的初始化时间决定单元的结构的示例的示图。

图4是示出图1的存储器装置的结构的示例的示图。

图5是示出图4的存储器单元阵列的示例的示图。

图6是示出图5的存储块BLK1至BLKz中的任意一个存储块BLKa的电路图。

图7是示出图5的存储块BLK1至BLKz中的任意一个存储块BLKb的示例的电路图。

图8是示出基于所公开技术的实施例的初始化存储器单元的通道的示例方法的示图。

图9是示出读取页面的示例方法的示图。

图10是示出读取半页面的示例方法的示图。

图11是详细示出图9中所示的示例方法的示图。

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