[发明专利]一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构及应用的真空灭弧室

权利要求书

1.一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构，包括相对放置的静触头(1)和动触头(2)，其特征在于：所述静触头(1)包括静导电杆(3-1)、静侧2/4匝纵磁线圈(4-1)、静支撑座(5-1)和静触头片(6-1)；静侧2/4匝纵磁线圈(4-1)布置于静导电杆(3-1)底部，为中空双层结构，具有四条并联支路，每条并联支路均在双层结构的上下两层中各绕过预设长度，每条并联支路末端与静触头片(6-1)焊接，静触头片(6-1)背面布置有静支撑座(5-1)，静支撑座(5-1)位于静侧2/4匝纵磁线圈(4-1)的中空腔体内；动触头(2)与静触头(1)的结构除动侧2/4匝纵磁线圈(4-2)和静侧2/4匝纵磁线圈(4-1)的每条并联支路在双层结构的上下两层中旋向相反外，其它结构均相同，包括动导电杆(3-2)、动侧2/4匝纵磁线圈(4-2)、动支撑座(5-2)和动触头片(6-2)，动触头片(6-2)与静触头片(6-1)相对布置；燃弧过程中，电流由静导电杆(3-1)流入，由静导电杆(3-1)末端流入静侧2/4匝纵磁线圈(4-1)的中部，再经由四条并联支路流入静触头片(6-1)，并经过电弧等离子体流入动触头(2)，由动触头片(6-2)留入动侧2/4匝纵磁线圈(4-2)，经四条并联支路汇集在动侧2/4匝纵磁线圈(4-2)中部，最终由动导电杆(3-2)流出，电流流经静侧2/4匝纵磁线圈(4-1)和动侧2/4匝纵磁线圈(4-2)时会感应出相应的纵向磁场；

所述静侧2/4匝纵磁线圈(4-1)和动侧2/4匝纵磁线圈(4-2)为中空双层结构，磁场分布更加均匀，更有利于控制电弧；

所述静侧2/4匝纵磁线圈(4-1)和动侧2/4匝纵磁线圈(4-2)中的四条并联支路结构参数相同，间隔90度布置，每条并联支路均由线圈背侧中部径向延伸至触头边缘，再沿圆周方向延伸，在双层结构的上下两层中各绕过1/4圆周的长度；

所述静触头(1)与动触头(2)相对布置时，静侧2/4匝纵磁线圈(4-1)与动侧2/4匝纵磁线圈(4-2)旋向相互配合即旋向相反，形成的磁场相互叠加，分布均匀，共同在触头间形成单极纵向磁场。

2.根据权利要求1所述的一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构，其特征在于：所述静触头片(6-1)和动触头片(6-2)与每条并联支路末端相连接处开有直线槽以减小涡流，直线槽沿径向由触头片边缘向内切出，四条直线槽间隔90度布置。

3.根据权利要求1所述的一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构，其特征在于：所述静支撑座(5-1)和动支撑座(5-2)为空心结构，几何结构圆周对称，纵剖面呈工字型，横截面为圆环状。

4.一种真空灭弧室，包括具有真空腔(8)的灭弧室壳体(7)，位于灭弧室壳体(7)上侧和下侧的灭弧室上侧盖板(10)和灭弧室下侧盖板(11)，位于灭弧室壳体(7)内的屏蔽罩(9)，其特征在于：屏蔽罩(9)内真空腔中设有权利要求1至3任一项所述的四分之二匝线圈型纵磁触头结构。