[发明专利]一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用有效
申请号: | 201910651571.4 | 申请日: | 2019-07-18 |
公开(公告)号: | CN110364422B | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 李立强;贾廷见;曹译恒 | 申请(专利权)人: | 商丘师范学院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18;B82Y20/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 郑州中鼎万策专利代理事务所(普通合伙) 41179 | 代理人: | 林新园 |
地址: | 476000 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜铟镓硫 二维 纳米 结构 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,由在FTO玻璃衬底上生长的规则排列的半导体纳米片团簇构成;其制备方法,包括以下步骤:
(1)将清洗过的FTO玻璃衬底放入反应釜底部,加入前驱液;
(2)将反应釜密封后,在100℃-300℃下加热5h-72h,清洗、干燥后得到规则排列的CuxS纳米片团簇,x=1或2;
(3)通过连续离子层吸附与反应法,在CuxS纳米片团簇上沉积铟镓硫元素,再经过退火处理后,生成铜铟镓硫二维纳米结构阵列。
2.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,所述半导体为具有单晶结构的铜铟镓硫。
3.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,所述半导体纳米片的厚度为0.1 nm-1μm。
4.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,前驱液与反应釜容积的比例为3-4:5。
5.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,
制备Cu2S纳米片团簇所用前驱液的制备方法为:将二水合氯化铜、硫脲、PVP溶于95%的乙醇中,二水合氯化铜、硫脲、PVP的质量比为3-5:4:0.5-8;
制备CuS纳米片团簇所用前驱液的制备方法为:将二水合氯化铜、CTAB、硫化钠溶于去离子水中,二水合氯化铜、CTAB、硫化钠的质量比为1-2:0.3-0.7:2-5。
6.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,连续离子层吸附与反应法的具体方法为:在恒温水浴中,将步骤(2)所得FTO玻璃衬底在依次在InCl3溶液、去离子水、Na2S溶液、去离子水中分别浸润一定时间,重复多个循环,再依次在GaCl3溶液、去离子水、Na2S溶液、去离子水中分别浸润一定时间,重复多个循环。
7.根据权利要求6所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,恒温水浴的温度为5℃-50℃,所用InCl3溶液、Na2S溶液、GaCl3溶液的浓度相同,浓度范围为0.01M-1M,在InCl3溶液、Na2S溶液、GaCl3溶液中的浸润时间相同,时间范围为0-60s,在去离子水中浸润的时间为20s-100s;重复循环次数为1-500次。
8.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,退火处理是在氩气或者氮气保护下,100℃ -800℃加热0.1 h-50 h。
9.一种权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列在光伏领域中的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造