[发明专利]一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201910651571.4 申请日: 2019-07-18
公开(公告)号: CN110364422B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 李立强;贾廷见;曹译恒 申请(专利权)人: 商丘师范学院
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L31/18;B82Y20/00;B82Y40/00
代理公司: 郑州中鼎万策专利代理事务所(普通合伙) 41179 代理人: 林新园
地址: 476000 *** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 铜铟镓硫 二维 纳米 结构 阵列 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,由在FTO玻璃衬底上生长的规则排列的半导体纳米片团簇构成;其制备方法,包括以下步骤:

(1)将清洗过的FTO玻璃衬底放入反应釜底部,加入前驱液;

(2)将反应釜密封后,在100℃-300℃下加热5h-72h,清洗、干燥后得到规则排列的CuxS纳米片团簇,x=1或2;

(3)通过连续离子层吸附与反应法,在CuxS纳米片团簇上沉积铟镓硫元素,再经过退火处理后,生成铜铟镓硫二维纳米结构阵列。

2.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,所述半导体为具有单晶结构的铜铟镓硫。

3.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,所述半导体纳米片的厚度为0.1 nm-1μm。

4.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,前驱液与反应釜容积的比例为3-4:5。

5.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,

制备Cu2S纳米片团簇所用前驱液的制备方法为:将二水合氯化铜、硫脲、PVP溶于95%的乙醇中,二水合氯化铜、硫脲、PVP的质量比为3-5:4:0.5-8;

制备CuS纳米片团簇所用前驱液的制备方法为:将二水合氯化铜、CTAB、硫化钠溶于去离子水中,二水合氯化铜、CTAB、硫化钠的质量比为1-2:0.3-0.7:2-5。

6.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,连续离子层吸附与反应法的具体方法为:在恒温水浴中,将步骤(2)所得FTO玻璃衬底在依次在InCl3溶液、去离子水、Na2S溶液、去离子水中分别浸润一定时间,重复多个循环,再依次在GaCl3溶液、去离子水、Na2S溶液、去离子水中分别浸润一定时间,重复多个循环。

7.根据权利要求6所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,恒温水浴的温度为5℃-50℃,所用InCl3溶液、Na2S溶液、GaCl3溶液的浓度相同,浓度范围为0.01M-1M,在InCl3溶液、Na2S溶液、GaCl3溶液中的浸润时间相同,时间范围为0-60s,在去离子水中浸润的时间为20s-100s;重复循环次数为1-500次。

8.根据权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列,其特征在于,退火处理是在氩气或者氮气保护下,100℃ -800℃加热0.1 h-50 h。

9.一种权利要求1所述的铜铟镓硫二维纳米结构阵列在光伏领域中的应用。

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