[发明专利]一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片结构，其特征在于，包括：

第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的正面和所述第二芯片的正面分别覆盖有介质材料的第一键合层和第二键合层，且所述第一键合层键合至所述第二键合层；

覆盖所述第二芯片背面的介质材料的第三键合层；

从所述第三键合层分别贯穿至所述第一芯片中第一顶层连线层和贯穿至所述第二芯片中第二顶层连线层的键合通孔；

第三芯片，所述第三芯片包括第三顶层连线层、位于所述第三顶层连线层上且覆盖所述第三芯片正面的介质材料的第四键合层、贯穿所述第四键合层且与所述第三顶层连线层连接的键合垫，所述第三键合层与所述第四键合层键合且所述键合通孔与所述键合垫键合；

从所述第三芯片的背面贯穿至所述第三顶层连线层的引出衬垫。

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述第一芯片中的第一器件、所述第二芯片中的第二器件或所述第三芯片中的第三器件包括存储器件、传感器件或逻辑器件中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述第一键合层、第二键合层、第三键合层或第四键合层的材料包括：氧化硅、氮化硅或NDC中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述键合垫包括接线孔以及接线孔上的过孔。

5.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述键合垫的材料为铜，所述键合通孔的材料为铜。

6.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述引出衬垫的材料为铝。

7.一种晶圆结构，其特征在于，包括晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括依次层叠的第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆，所述晶圆键合结构上阵列排布有如权利要求1-6中任一项所述的芯片结构。

8.一种键合结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆的正面覆盖有介质材料的第一键合层，所述第二晶圆的正面覆盖有介质材料的第二键合层；

利用所述第一键合层和所述第二键合层将所述第二晶圆键合至所述第一晶圆；

在所述第二晶圆的背面覆盖介质材料的第三键合层，从所述第三键合层分别形成贯穿至所述第一晶圆中第一顶层连线层以及贯穿至所述第二晶圆中第二顶层连线层的键合通孔；

提供第三晶圆，所述第三晶圆包括第三顶层连线层、位于所述第三顶层连线层上且覆盖所述第三晶圆正面的介质材料的第四键合层、贯穿所述第四键合层且连接所述第三顶层连线层的键合垫；

利用所述第三键合层和所述第四键合层将所述第三晶圆键合至所述第二晶圆，且所述键合通孔与所述键合垫键合；

从所述第三晶圆的背面形成贯穿至所述第三顶层连线层的引出衬垫，以获得晶圆键合结构。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一晶圆中的第一器件、所述第二晶圆中的第二器件或所述第三晶圆中的第三器件包括存储器件、传感器件或逻辑器件中的一种或多种。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，还包括：

进行所述晶圆键合结构的切割，以获得独立的芯片结构。