[发明专利]集成微箔开关的爆炸箔超压芯片及起爆装置有效

专利信息
申请号: 201910652737.4 申请日: 2019-07-19
公开(公告)号: CN110411284B 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 朱朋;张秋;沈瑞琪;叶迎华;吴立志;张伟;胡艳 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: F42B3/12 分类号: F42B3/12;F42B3/195
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 张玲
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 集成 开关 爆炸 箔超压 芯片 起爆 装置
【权利要求书】:

1.一种起爆装置,其特征在于,所述装置包括集成微箔开关的爆炸箔超压芯片、炸药柱(12)、MCT开关(16)、TVS管(17)、FRD(18)、触发电容(19)、主电容(20)、PCB板(21);

集成微箔开关的爆炸箔超压芯片包括集成在同一陶瓷基底(1)上的微箔开关单元和爆炸箔超压芯片单元,所述爆炸箔超压芯片单元包括多个爆炸箔(7-1),多个爆炸箔串联之后并联,形成“梅花形”爆炸箔阵列区(7);

所述陶瓷基底(1)上设置金属TiW/Cu层(2),所述金属TiW/Cu层(2)分为下电极区(6)、爆炸箔阵列区(7)和主回路高压焊盘(8),其中爆炸箔阵列区(7)又分为爆炸箔(7-1)、过渡区(7-2)和连接区(7-3);

所述金属TiW/Cu层(2)上设置Parylene C层(3);

所述Parylene C层(3)上对应下电极区(6)的部位上设置上电极TiW/Cu/Au(4),所述上电极TiW/Cu/Au分为上电极焊盘(9)、下电极焊盘(10)和微型爆炸箔(11);

所述Parylene C层(3)上对应爆炸箔阵列区(7)的部位上设置Su8加速膛(5);

所述下电极区(6)以及其上的Parylene C层(3)、上电极TiW/Cu/Au(4)构成微箔开关单元,所述爆炸箔阵列区(7)以及其上的Parylene C层(3)、Su8加速膛(5)构成爆炸箔超压芯片单元;

所述下电极区(6)和主回路高压焊盘(8)均为矩形结构,分别位于爆炸箔阵列区(7)的左、右两侧,并与其相连;爆炸箔阵列区(7)是圆环形的结构,分为爆炸箔(7-1)、过渡区(7-2)和连接区(7-3),其中爆炸箔(7-1)是爆炸箔阵列区(7)中最窄的部位,有四个,连接方式为两个爆炸箔(7-1)先串联,然后再将其并联;过渡区(7-2)为位于爆炸箔(7-1)的两端,形状为等腰梯形,是爆炸箔(7-1)由窄到宽的过渡区域;而连接区(7-3)是爆炸箔阵列区(7)中最宽的结构,位于两两过渡区(7-2)之间,将整个爆炸箔阵列区(7)封闭呈圆环形;

所述上电极TiW/Cu/Au(4)分为上电极焊盘(9)、下电极焊盘(10)和微型爆炸箔(11),上电极焊盘(9)和下电极焊盘(10)分别位于微型爆炸箔(11)的两侧;所述Parylene C层(3)上为采用紫外光刻原位自组装的Su8加速膛(5),其形状为“梅花形”,且中间带有4个小圆孔;

炸药柱(12)放置在SU8加速膛(5)上;所述触发电容(19)、MCT开关(16)和微箔开关单元串联在一起,形成触发回路;主电容(20)、爆炸箔超压芯片单元和微箔开关单元串联在一起,形成主回路;其中微箔开关单元作为两条回路的连接“纽带”,当MCT开关(16)导通时,触发电容(19)开始放电,微箔开关单元中的Parylene C层(3)被击穿,使得微箔开关单元中的上、下电极导通,进而主电容(20)开始放电,使得爆炸箔超压芯片单元作用;

还包括药环(13)、螺丝(14)、螺母(15),所述药环(13)为炸药柱(12)提供一个侧面约束作用,所述螺丝(14)、螺母(15)将药环(13)固定在PCB板(21)上;

所述的炸药柱(12)个数为4个,尺寸为Փ4mm×H4mm,采用低感度单体猛炸药六硝基茋炸药HNS-Ⅳ,装药密度为理论密度的90%-95%;

所述药环(13)采用聚砜或亚克力材料;

所述螺丝(14)、螺母(15)采用塑料尼龙材料;

所述MCT开关(16)型号为MTD32N17PP-G2,开关的插针分别为阳极、阴极、栅极和栅返回极;

所述TVS管(17)连接方式为并联在MCT开关(16)的栅极和栅返回极两端,将MCT开关 栅极和栅返回极之间电压钳位于一个预定值,防止栅压抖动对MCT产生冲击;

所述FRD(18)数量为两个,反向并联在MCT开关(16)的阴极、阳极两端,可将电容放电阶段产生的反向电流通过FRD进行续流,而不流经MCT开关(16)的阴阳两极,从而保护MCT开关(16);

所述触发电容(19)的容值为0.39μF,耐压值为900V;所述主电容(20)的容值为0.36μF,耐压值为2kV~3kV;

所述MCT开关(16)的阳极与芯片的下电极焊盘(10)相连,MCT开关(16)的阴极与触发电容(19)的负极相连,MCT开关(16)的栅极和栅返回极两端分别接脉冲波形发生器的正负极两端;

所述触发电容(19)的正极与芯片的上电极焊盘(9)相连,触发电容(19)负极通过PCB板(21)上的传输线与MCT开关(16)的阴极相连;

所述主电容(20)的正极通过PCB板(21)上的传输线与主回路高压焊盘(8)相连,主电容(20)的负极与芯片的下电极焊盘(10)相连;

所述的起爆装置,微箔开关单元耐压1500V,主回路电压为1400~1500V,触发回路电压500~600V,MCT开关(16)的栅极和栅返回极两端的触发电压为5V。

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