[发明专利]具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器

权利要求书

1.一种具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器，其包括设置于半导体基底上的由多个像素单元按行和列排列设置构成的二维像素阵列，其特征在于，每个所述像素单元包括：

双转换增益控制单元，其包括双转换增益晶体管及有源区连接电容；

所述双转换增益晶体管具有不规则设计结构，其栅极以一倾斜角度布局设置于所述像素单元的角部位置，所述双转换增益晶体管的漏极有源区向多方向延伸，形成所述有源区连接电容。

2.根据权利要求1所述的具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器，其特征在于，所述双转换增益晶体管的漏极有源区上设置一栅极结构，所述有源区连接电容形成MOS电容。

3.根据权利要求2所述的具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器，其特征在于，所述双转换增益晶体管的漏极有源区上设置的栅极结构连接到所述双转换增益晶体管的栅极控制信号线或高电位信号。

4.根据权利要求1所述的具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器，其特征在于，所述像素单元包括一传输晶体管以及一光电二极管，所述传输晶体管以一倾斜角度布局设置于所述光电二极管的角部。

5.根据权利要求4所述的具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器，其特征在于，所述双转换增益晶体管的栅极以一倾斜角度面向并连接至浮动扩散点布局设置，以面向所述传输晶体管布局设置。

6.根据权利要求1所述的具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器，其特征在于，所述像素单元包括一复位晶体管，所述双转换增益晶体管的漏极有源区向多方向延伸，以实现连接到所述复位晶体管的源极，以及形成所述有源区连接电容。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器，所述像素单元包括一行选择晶体管。

8.根据权利要求1所述的具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器为FSI图像传感器或BSI图像传感器。