[发明专利]晶圆分离方法

权利要求书

1.一种晶圆分离方法，用于按照设置于晶圆电路层的切割道将晶圆分离为多个独立的芯片，所述切割道包含金属层和/或low-k层；其特征在于，所述晶圆分离方法包括：首先在所述晶圆电路层的表面粘附一层透明的保护膜；然后使用机械切割方法按照所述切割道将晶圆分离为多个独立的芯片。

2.如权利要求1所述晶圆分离方法，其特征在于，所述机械切割方法为台阶式的两步机械切割方法。

3.如权利要求2所述晶圆分离方法，其特征在于，所述两步机械切割方法的第一步机械切割所使用切割刀的宽度为所述切割道宽度的1/2～3/4；第二步机械切割所使用切割刀的宽度比第一步机械切割所使用切割刀的宽度小5~15μm。

4.如权利要求2所述晶圆分离方法，其特征在于，所述两步机械切割方法具体如下：先通过第一步机械切割在所述切割道上切割出深度超出晶圆电路层10~20μm的切割槽，然后对晶圆背面衬底进行研磨以使晶圆达到目标厚度，最后在所述切割槽中进行第二步机械切割以使晶圆分离为多个独立的芯片。

5.如权利要求2所述晶圆分离方法，其特征在于，所述两步机械切割方法具体如下：先通过第一步机械切割在所述切割道上切割出深度超出晶圆电路层10~20μm的切割槽，然后通过第二步机械切割继续切割至略大于晶圆目标厚度的深度处，最后对晶圆背面衬底进行研磨以使晶圆达到目标厚度的同时分离为多个独立的芯片。

6.如权利要求1所述晶圆分离方法，其特征在于，所述机械切割方法具体如下：通过一次机械切割在所述切割道上切割出深度略大于晶圆目标厚度的切割槽，然后对晶圆背面衬底进行研磨以使晶圆达到目标厚度的同时分离为多个独立的芯片。

7.如权利要求1所述晶圆分离方法，其特征在于，所述保护膜为固化后的可塑性胶质材料。

8.如权利要求7所述晶圆分离方法，其特征在于，所述可塑性胶质材料为辐射固化材料，或为热固化材料，或为电场固化材料，或为化学试剂固化材料。

9.如权利要求8所述晶圆分离方法，其特征在于，所述可塑性胶质材料为石蜡或光刻胶。

10.如权利要求9所述晶圆分离方法，其特征在于，所述保护膜的厚度为2～10 μm。