[发明专利]一种固态硬盘中读错误处理流程优化的方法和系统有效
申请号: | 201910653487.6 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN110489255B | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 苏军 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/07 | 分类号: | G06F11/07 |
代理公司: | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人: | 李修杰 |
地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 固态 硬盘 错误 处理 流程 优化 方法 系统 | ||
本发明提出了一种固态硬盘中读错误处理流程优化的方法和系统,该方法首先设置两个空间相同的缓存空间;当固态硬盘出现读错误时,触发读纠错流程完成数据纠错;在读纠错完成后,通过判断当前缓存是否有存放空间,来判断将纠错完成后的数据流向;或者通过判断备用缓存是否有存放空间,来判断将纠错完成后的数据流向。当下次再读固态硬盘中的数据时,首先判断数据是否存放在缓存,若存在,则从缓存返回数据,否则,则从固态硬盘中其他物理地址中读取数据,本发明还提出了优化系统。本发明基于NAND颗粒特性,固态硬盘读错误流程中,将纠错成功的数据及时搬移到新的物理地址中,降低触发流程,从而减少对性能的影响。
技术领域
本发明属于固态硬盘优化技术领域,特别涉及一种固态硬盘中读错误处理流程优化的方法和系统。
背景技术
随着互联网、云计算、物联网等技术的发展及广泛应用,在人类生活中,时时刻刻都会产生海量的数据需要处理及存储,信息技术的高速发展对存储系统的性能提出了更高的要求。固态硬盘因其读写速度快、能耗较低,而被广泛采用。
但由于NAND本身的特性,经过read distrub或者retention之后,可能会存在出现读出错的情况,此时需要额外的纠错流程。若再读到该位置的数据,仍有很大概率进入纠错流程。而该纠错流程可能会对I/O的读写性能产生不利的影响
发明内容
本发明提出了一种固态硬盘中读错误处理流程优化的方法和系统,当数据出现读错误,经过读纠错流程将数据纠错完成后,将纠错完成后的数据进行有效的数据搬移,避免下次再进入ERF流程。
为了实现上述目的,本发明提出了一种固态硬盘中读错误处理流程优化的方法和系统,该方法包括以下步骤:
S1:设置两个空间相同的硬盘缓存空间,分别为当前缓存和备用缓存;
S2:当固态硬盘出现读错误时,触发读纠错流程,完成数据纠错;
S3:在读纠错流程完成后,通过判断当前缓存是否有存放空间,来判断将纠错完成后的数据放入当前缓存还是固态硬盘中其他物理地址;或者通过判断备用缓存是否有存放空间,来判断将纠错完成后的数据放入备用缓存还是固态硬盘中其他物理地址;
S4:当下次再读固态硬盘中的数据时,首先判断数据是否存放在当前缓存和备用缓存,若存在当前缓存和备用缓存中的任意一个,则从当前缓存或备用缓存中返回数据;否则,则从所述固态硬盘中其他物理地址中读取数据。
进一步的,步骤S3还包括:
当前缓存没有空间时,将纠错完成后的数据放入固态硬盘中其他物理地址后,释放当前缓存,并把释放后的当前缓存设定为下一轮存放的备用缓存;
备用缓存没有空间时,将纠错完成后的数据放入固态硬盘中其他物理地址后,释放备用缓存,并把释放后的备用缓存设定为下一轮存放的当前缓存。
进一步的,所述当前缓存和备用缓存的大小均为(15+1)raid*64K。
进一步的,步骤S2包括:固态硬盘经过read disturb或者retention后,固态硬盘中物理单元cell电荷丢失或者增加,触发读纠错流程;所述读纠错流程包括数据读取重试、软解码和数据重建。
进一步的,步骤S3的流程为:
在读纠错流程完成后,首先判断当前缓存是否还有空间,若当前缓存有空间,则将纠错完成后的数据存入当前缓存,并更新纠错完成后数据的第一映射地址;若当前缓存没有空间,则将纠错完成后数据写入固态硬盘中其他物理地址;然后释放当前缓存,并把释放后的当前缓存设定为下一轮存放的备用缓存;
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