[发明专利]一种硅烷交联型半导电内屏蔽料及其生产工艺

说明书

本发明公开了一种硅烷交联型半导电内屏蔽料及其生产工艺，生产工艺步骤包括：制备高导电A料；制备催化B料；将高导电A料与催化B料混合挤出成混合料；将混合料进行温水交联制成成品。本发明的高导电A料的制造过程中采用乙烯‑乙烯基硅烷共聚物温水交联，所以没有传统工艺中的硅烷接枝反应，反应温度在140℃以内，不产生焦料，生产连续性好，稳定性高，能耗低，能够不停机地连续生产，无需定期停机清理设备中焦料，制成的电缆料力学和绝缘性能半导电性能优异，有利于提高电网输电能力，提高线路抗风能力，改善和提高配电系统的安全可靠性。

技术领域

本发明涉及电缆料，尤其涉及一种硅烷交联型半导电内屏蔽料及其生产工艺。

背景技术

随着国民经济的快速发展，电网发展更是突飞猛进，对供电可靠性提出更高的要求，架空绝缘电缆使用日益普遍，所占线路比率越来越大。采用架空绝缘电缆，有利于提高电网输电能力，提高线路抗风能力，改善和提高配电系统的安全可靠性，提高线路的供电利用率；有利于城市建设和绿化工作，减少线路沿线树木的修剪量，减少树木碰到导线，造成线路短路、接地故障发生；有利于高压深入负荷中心，减小低压线路供电半径，提高电压质量。在中压架空绝缘电缆中，10KV架空绝缘电缆用量最大，因此，开发硅烷交联型半导电屏蔽料，极具有市场前景。目前硅烷交联型屏蔽料大多采用接枝A料和催化B料混合的形式制备硅烷交联型半导电屏蔽料，A料制备均为过氧化物引发接枝硅烷反应，反应温度较高，大多高于200℃，需设备温控高，另外过氧化物引入会引发部分树脂交联产生焦料，需定期停机清理设备中焦料等问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种工艺简单，效率高的硅烷交联型半导电内屏蔽料及其生产工艺。

实现本发明目的的技术方案是：一种硅烷交联型半导电内屏蔽料的生产工艺，步骤包括：

S1：按重量份计，将乙烯-醋酸乙烯共聚物30～50份，乙烯-乙烯基硅烷共聚物41～70份，高导电炭黑40～80份，分散剂1～5份，润滑剂5～15份，抗氧剂0.2～2份混合制备高导电A料；

S2：将乙烯-醋酸乙烯共聚物100份；催化剂0.5～5份，抗氧剂0.5～2份混合制备催化B料；将高导电A料与催化B料以7～10：1的质量比混合挤出成混合料；

S3：将混合料进行温水交联制成成品。

所述混合料中高导电A料和催化B料的质量比优选为9～10:1。

所述高导电A料通过往复式单螺杆挤出机挤出造粒制成；往复机芯轴温度40～50℃、一区60～80℃、2区80～100℃、3区100～120℃，单螺杆芯轴温度30～40℃、一区80～100℃、2区100～120℃、机头130～140℃。

所述催化B料通过双螺杆挤出机造粒制成。

所述乙烯-醋酸乙烯共聚物，其VA含量为15～30％，190℃、2.16kg测试条件下熔体流动速率为2～5g/10min；

所述乙烯-乙烯基硅烷共聚物，其乙烯基硅烷含量为0.5～5％。

所述分散剂为EBS、TAS-2A中的至少一种。

所述润滑剂为聚乙烯蜡、EVA蜡、白油、硬脂酸盐中的至少一种。

所述抗氧剂为抗氧剂1010、抗氧剂1024、抗氧剂1076、抗氧剂168、抗氧剂300中的至少一种。

所述催化剂为二月桂酸二丁基锡、二月桂酸二正辛基锡、辛酸亚锡中的一种或多种组合。

一种硅烷交联型半导电内屏蔽料，由上述的硅烷交联型半导电内屏蔽料的生产工艺制成。

采用了上述技术方案，本发明具有以下的有益效果：