[发明专利]一种低功耗高速度电流比较器电路

权利要求书

1.一种低功耗高速度电流比较器电路，其特征在于，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一低阈值NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一低阈值PMOS管、第二低阈值PMOS管、第一电流源、第一修调电阻和第二修调电阻，其中第一低阈值NMOS管是耗尽型晶体管，第一修调电阻和第二修调电阻阻值相等；

第一低阈值NMOS管的源极作为所述电流比较器电路的输入端并通过第一修调电阻后接地，其栅极连接第一NMOS管的栅极和第四NMOS管的源极并通过第一电流源后接地，其漏极连接第二NMOS管的源极和第四NMOS管的栅极；

第一NMOS管的漏极连接第三NMOS管的源极，其源极通过第二修调电阻后接地；

第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管、第一低阈值PMOS管和第二低阈值PMOS管的栅极并连接偏置电压，其源极连接第二PMOS管的源极和第四NMOS管的漏极并连接电源电压，其漏极连接第一低阈值PMOS管的源极；

第二NMOS管的栅漏短接并连接第三NMOS管的栅极和第一低阈值PMOS管的漏极；

第二低阈值PMOS管的源极连接第二PMOS管的漏极，其漏极连接第三NMOS管的漏极并输出比较信号。

2.根据权利要求1所述的低功耗高速度电流比较器电路，其特征在于，所述电流比较器电路还包括辅助钳位模块，所述辅助钳位模块包括第三PMOS管、第四PMOS管、第三低阈值PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管，

第三PMOS管的栅极连接第三低阈值PMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管的栅极并连接所述偏置电压，其源极连接电源电压，其漏极连接第三低阈值PMOS管的源极；

第五NMOS管的栅极连接第四PMOS管的源极并连接所述比较信号，其漏极连接第四PMOS管的栅极和第三低阈值PMOS管的漏极并作为所述电流比较器电路的输出端，其源极连接第七NMOS管的漏极；

第六NMOS管的漏极连接第四PMOS管的漏极，其源极连接第七NMOS管的源极并接地。

3.根据权利要求1或2的低功耗高速度电流比较器电路，其特征在于，所述第一修调电阻和第二修调电阻具有相同的内部结构，所述第一修调电阻包括第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、一个第一电阻、一个第二电阻、两个第三电阻和四个第四电阻，

第八NMOS管的栅极连接第一控制信号，其漏极通过第一电阻后连接所述第一修调电阻的一端，其源极连接第九NMOS管的漏极；

第九NMOS管的栅极连接第二控制信号，其源极连接第十NMOS管的漏极；

第十NMOS管的栅极连接第三控制信号，其源极连接所述第一修调电阻的另一端；

第二电阻接在第八NMOS管的漏极和源极之间；

两个第三电阻并联后接在第九NMOS管的漏极和源极之间；

四个第四电阻并联后接在第十NMOS管的漏极和源极之间。