[发明专利]刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀方法在审
申请号: | 201910655162.1 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN110491803A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 白靖宇 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载板 晶圆 喷头 加热装置 刻蚀液 刻蚀 多个加热装置 独立加热 刻蚀腔体 刻蚀系统 刻蚀装置 刻蚀腔 喷出 加热 申请 体内 | ||
1.一种刻蚀装置,其特征在于,包括:
刻蚀腔体;
承载板,其位于刻蚀腔体内,承载板上用于放置晶圆且承载板带动晶圆一起旋转;
喷头,其位于所述承载板的上方,所述喷头用于向所述晶圆喷出刻蚀液;
多个加热装置,其安装在所述承载板上,且用于给晶圆加热;
其中,每个加热装置独立加热以用于改变每个加热装置上方的刻蚀液的刻蚀速率。
2.如权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,每个加热装置成环形,且任意两个加热装置中其中一个套在另外一个内。
3.如权利要求要求2所述的刻蚀装置,其特征在于,多个所述加热装置由承载板的中心向外分布到承载板的边缘。
4.如权利要求3所述的刻蚀装置,其特征在于,任意两个相邻加热装置之间的间隙大于0mm。
5.如权利要求3所述的刻蚀装置,其特征在于,每个加热装置成圆环形,所有所述加热装置的圆心相同且半径相异。
6.如权利要求5所述的刻蚀装置,其特征在于,所述加热装置的数量大于或等于5。
7.如权利要求3所述的刻蚀装置,其特征在于,靠近承载板中心的两个相邻加热装置之间的间隙大于靠近承载板边缘的两个相邻加热装置之间的间隙。
8.如权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀装置还包括多个温度传感器和控制器,其中,温度传感器和加热装置均与控制器连接,且每个所述加热装置至少设有一个通孔,每个通孔对应至少一个温度传感器设置,所述温度传感器至少部分位于所述通孔中或者位于所述通孔的上方以用于侦测其上方对应晶圆区域的温度,所述控制器根据温度传感器测得的温度调整对应加热装置的加热功率。
9.如权利要求2所述的刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀装置还包括多个温度传感器和控制器,其中,温度传感器和加热装置均与控制器连接,承载板上表面相邻加热装置之间的每个环形区域至少设有一个通孔,每个通孔对应至少一个温度传感器设置,所述温度传感器至少部分位于所述通孔中或者位于所述通孔的上方,所述温度传感器倾斜设置以用于侦测对应加热装置上方晶圆区域的温度,所述控制器根据温度传感器测得的温度调整对应加热装置的加热功率。
10.如权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀装置还包括多个温度传感器,所述温度传感器用于感测承载板上承载的晶圆的温度,所述加热装置用于接收根据所述晶圆的温度产生的控制信号,所述控制信号用于调整加热装置的加热功率。
11.如权利要求8或9所述的刻蚀装置,其特征在于,所述承载板上设置有多个固定件,所述固定件固定连接于所述承载板,且所述固定件用于固定晶圆,所述温度传感器的顶部低于所述固定件用于支撑晶圆的表面。
12.如权利要求11所述的刻蚀装置,其特征在于,所述固定件为卡爪,每个所述卡爪包括卡槽,所述卡槽用于卡住晶圆,所述温度传感器的顶部低于与所述卡槽的下表面。
13.如权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述刻蚀装置还包括多个温度传感器和控制器,其中,温度传感器和加热装置均与控制器连接,所述温度传感器位于承载板的上方,每个加热装置对应至少一个温度传感器,所述温度传感器用于侦测对应晶圆区域的温度,所述控制器根据温度传感器测得的温度调整对应加热装置的加热功率。
14.如权利要求1-10、13任意一项所述的刻蚀装置,其特征在于,所述承载板的上表面设有多个向下的凹陷槽,所述凹陷槽用于收容所述加热装置,所述加热装置的上表面低于所述承载板的上表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造