[发明专利]一种半导体光源及其制备的光学装置

权利要求书

1.一种半导体光源，其特征在于，所述半导体光源包含蓝光LED芯片、能够发射红外光的发光材料、以及蓝光激发的黄色、绿色和/或红色荧光粉；

所述发射红外光的发光材料包括分子式为M_mAl_xSi_yN₃:aEr,bEu的化合物；

其中，M元素选自Ca元素和/或Sr元素；

且各参数满足如下关系：0.8≤m≤1.0，0.9≤x≤1.1，0.9≤y≤1.1，0.001≤a≤0.20，0.001≤b≤0.20。

2.根据权利要求1所述的半导体光源，其特征在于，所述蓝光LED芯片为发射峰值波长位于420-470nm的蓝光芯片。

3.根据权利要求1所述的半导体光源，其特征在于，所述发射红外光的发光材料为发射1400-1600nm红外光的发光材料。

4.根据权利要求1所述的半导体光源，其特征在于，所述蓝光激发的黄色荧光粉包括分子式为R_wQ_xSi_yN_z的无机化合物；

其中，所述R元素包括Ce元素、Cr元素和/或Er元素；所述Q元素选自La、Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种；

且各参数满足如下关系：0.01≤w≤0.3，2.5≤x+w≤3.5，

5.5≤y≤6.5，10≤z≤12；

或者，

所述蓝光激发的黄色荧光粉选自Y₃Al₅O₁₂:Ce和/或Ca-α-Sialon:Eu。

5.根据权利要求1所述的半导体光源，其特征在于，所述蓝光激发的绿色荧光粉选自(Y,Lu)₃(Al,Ga)₅O₁₂:Ce、(Sr,Ca)₂SiO₄:Eu、β-Sialon:Eu中的一种或两种的混合物。

6.根据权利要求1所述的半导体光源，其特征在于，所述蓝光激发的红色荧光粉包括(Ca,Sr)AlSiN₃:Eu、Sr₂Si₅N₈:Eu、(Sr,Ca)S:Eu中的一种或两种。

7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体光源，其特征在于，所述半导体光源包括：发射峰值波长位于440-460nm的蓝光芯片，以及蓝光激发的黄色荧光粉La₃Si₆N₁₁:Ce,Er；或者，

发射峰值波长位于440-460nm的蓝光芯片，以及蓝光激发的绿色荧光粉(Y,Lu)₃(Al,Ga)₅O₁₂:Ce；或者，发射峰值波长位于440-460nm的蓝光芯片，蓝光激发的黄色荧光粉La₃Si₆N₁₁:Ce,Er、蓝光激发的绿色荧光粉(Y,Lu)₃(Al,Ga)₅O₁₂:Ce、以及蓝光激发的红色荧光粉(Ca,Sr)AlSiN₃:Eu。

8.一种发光装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的半导体光源。