[发明专利]一种高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法

权利要求书

1.一种高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

铂浆制作步骤，将铂粉、玻璃粉与有机载体按质量比7:1:2进行混合、研磨，配置成铂浆料；

厚膜铂膜制作步骤，利用铂浆制作步骤中配置的铂浆料在陶瓷基板上印刷铂膜，将印刷的铂膜进行烧结，烧结温度为1150-1280℃，保温时间为50-80分钟，烧结后在陶瓷基板上形成呈网状结构的厚膜铂层；

薄膜溅射镀膜步骤，将铂材料制作成铂靶，在真空及氩氮气氛中向厚膜铂层溅射铂离子，获得在陶瓷基板上形成由厚膜铂层和薄膜铂层构成相互嵌套的复合铂膜；

电路制作步骤，在薄膜溅射镀膜步骤中制得的复合铂膜上涂覆光刻胶，并用预先准备的光刻模板进行曝光、显影处理，再对光刻完的复合铂膜进行刻蚀，将刻蚀完的复合铂膜进行烧结，烧结温度为1150-1280℃，保温时间为60-120分钟，烧结后获得在陶瓷基板上形成由复合铂膜构成的感温电路，经过激光调阻，制得温度传感器敏感芯片；

还包括以下步骤：

铂粉制作步骤，溶解铂材料得到氯铂酸溶液，加入氯化钠并调节PH值制得氯铂酸钠并提纯，将氯铂酸钠配置成氯铂酸钠水溶液，并从氯铂酸钠水溶液中还原出球形纳米铂粉，所述球形纳米铂粉为铂浆制作步骤中所使用的铂粉；

加入氯化钠并调节PH值制得氯铂酸钠并提纯包括以下步骤：向氯铂酸溶液中加入分析纯氯化钠制得氯铂酸钠溶液，调节氯铂酸钠溶液的PH值为6-8，待杂质析出后，经过静置、蒸干、水解、过滤制得高纯的氯铂酸钠，重复多次提纯步骤，每次提纯步骤调节的PH值不同，最终制得超高纯的氯铂酸钠。

2.根据权利要求1所述的高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法，其特征在于：所述网状结构为蜂窝结构。

3.根据权利要求1所述的高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法，其特征在于，所述铂粉制作步骤具体包括以下步骤：

溶解步骤，采用王水溶解铂材料得到氯铂酸溶液；

还原步骤，将氯铂酸钠用高纯水配置成质量浓度为4-7%的氯铂酸钠水溶液，调节氯铂酸钠水溶液的PH值为2-4，加入水合联氨进行还原，待还原出铂粉后，经过静置、过滤、清洗得到纯度为99.99%以上的球形纳米铂粉。

4.根据权利要求3所述的高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法，其特征在于：所述还原步骤中，将氯铂酸钠用高纯水配置成质量浓度为6%的氯铂酸钠水溶液，调节氯铂酸钠水溶液的PH值为3。

5.根据权利要求1所述的高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法，其特征在于：所述厚膜铂膜制作步骤中，烧结温度为1200℃，保温时间为50分钟。

6.根据权利要求1所述的高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法，其特征在于：所述薄膜溅射镀膜步骤中，氩氮气氛中氩气与氮气之比为2:1。

7.根据权利要求5所述的高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法，其特征在于：所述薄膜溅射镀膜步骤中，溅射时，陶瓷基板加热温度210℃，铂靶通入250W功率的电流，溅射30分钟。

8.根据权利要求1所述的高稳定性温度传感器敏感芯片的制作方法，其特征在于：所述电路制作步骤中，烧结温度为1185℃，保温时间为100分钟。