[发明专利]一种优化细胞保存的细胞存储器、细胞存储装置和细胞存储方法在审
申请号: | 201910656019.4 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN110271771A | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 唐劲天;张丽岩;蔡旭;常方照 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | B65D81/18 | 分类号: | B65D81/18;B65D85/50;A01N1/02 |
代理公司: | 北京皮皮云嘉知识产权代理有限公司 11678 | 代理人: | 李思霖 |
地址: | 100000*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 细胞存储 电场 输出单元 存储器 细胞 细胞保存 电极片 冰晶 场强 机械损伤 细胞活力 细胞制品 保存 静电场 冰点 溶剂 冻存 绝缘 冷藏 代谢 优化 防护 施加 | ||
1.一种细胞存储器,其特征在于,包括细胞存储单元(7)、外壳(9)和电场输出单元(6);所述细胞存储单元(7)和所述电场输出单元(6)设置在所述外壳(9)内;所述电场输出单元(6)包括电极片(8),该电极片(8)设置在细胞存储单元(7)外侧;在所述细胞存储单元(7)和所述电场输出单元(6)之间设置有绝缘的介质(11)进行防护;在细胞存储期间,所述电场输出单元(6)对所述细胞存储单元(7)中的保存对象施加静电场干扰,场强范围在5-40kV/m。
2.根据权利1要求所述的细胞存储器,其特征在于,所述介质(11)是在所述电极片(8)上涂布的高介电常数的介质涂层(10),或在所述电极片(8)周围填充的高介电常数的介质(11)。
3.根据权利2要求所述的细胞存储器,其特征在于,包括多个所述细胞存储单元(7),每个细胞存储单元(7)之间由所述电极片(8)间隔。
4.一种细胞存储装置,包括电场发生器、细胞存储器和显示控制器,其特征在于,所述电场发生器包括中央控制单元(1)、电源管理单元(2)、信号发生单元(3)和信号处理与放大单元(5),所述细胞存储器包括电场输出单元(6)和细胞存储单元(7),所述显示控制器由人机交互单元(4)控制;所述人机交互单元(4)接收用户指令并显示来自所述装置的反馈,并将接收用户指令传递到中央控制单元(1)进行处理,中央控制单元(1)控制信号发生单元(3)和信号处理与放大单元(5)产生激励电场发生高压直流信号,通过电场输出单元(6)将高压直流信号施加到细胞存储单元(7);在细胞存储期间,所述电场输出单元(6)对所述细胞存储单元(7)中的保存对象施加静电场干扰,场强范围在5-40kV/m。
5.根据权利要求4所述的细胞存储装置,其特征在于,所述电场发生器还包括外壳(9)以及外接电路或电池;所述电场发生器一端接入100-240V、50-60Hz的外接电路或接入电池,另一端则将发生的高压直流电输出至所述细胞存储器以产生静电场。
6.根据权利要求4所述的细胞存储装置,其特征在于,所述人机交互单元(4)由电源管理单元(2)进行供电,并且所述人机交互单元(4)包括触摸式显示屏、显示屏配合控制按键、或手机应用。
7.一种采用权利要求1-3中任何一项所述的细胞存储器或权利要求4-6中任何一项所述的细胞存储装置保存细胞的细胞存储方法,其特征在于,在细胞存储期间,在降温或恒温过程中对保存的细胞施加静电场干扰,场强范围在5-40kV/m。
8.根据权利要求7所述的细胞存储方法,其特征在于,所述场强范围在12-18kV/m。
9.根据权利要求8所述的细胞存储方法,其特征在于,所述场强在15kV/m。
10.根据权利要求7-9中任何一项所述的细胞存储方法,其特征在于,静电场干扰时的温度范围在10-80℃。
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