[发明专利]功率晶体管控制信号门控

权利要求书

1.一种半桥GaN电路，其包括：

开关节点；

低侧电源开关，其连接到所述开关节点且经配置以根据一或多个控制信号选择性地导电；

高侧电源开关，其连接到所述开关节点且经配置以根据所述一或多个控制信号选择性地导电；

低侧电源开关驱动器，其经配置以基于所述控制信号中的一或多个控制所述低侧电源开关的导电状态；

高侧电源开关驱动器，其经配置以基于所述控制信号中的一或多个控制所述高侧电源开关的导电状态；

控制器，其经配置以产生所述一或多个控制信号；以及

高侧回转检测电路，其经配置以在所述开关节点处的电压增大时防止所述高侧电源开关驱动器致使所述高侧电源开关导电，

其中所述高侧回转检测电路包括：

电容器，其连接到所述高侧电源开关的漏极以及感测节点；

箝位电路，其连接到所述感测节点以及所述高侧电源开关的源极，且经配置以防止所述感测节点处的电压变得小于最小电压和变得大于最大电压；

偏置电路，其连接到所述感测节点；以及

输出电路，其具有连接到所述感测节点的输入端子，其中所述输出电路经配置以基于所述感测节点处的所述电压和所述高侧电源开关的所述源极处的电压产生高侧回转端信号，

其中所述电容器和所述偏置电路经配置以在对应的所述感测节点处产生所述电压，而无论所述高侧电源开关的所述漏极处的电压与所述高侧电源开关的所述源极处的所述电压之间的电压差是否减小，且

其中所述偏置电路经配置以将所述感测节点偏置到致使所述输出电路产生所述高侧回转端信号的电压，所述高侧回转端信号指示所述高侧电源开关的所述漏极处的所述电压与所述高侧电源开关的所述源极处的所述电压之间的所述差不减小。

2.根据权利要求1所述的半桥GaN电路，其中所述低侧电源开关驱动器经配置以响应于来自所述控制器的低侧信号指示所述低侧电源开关不导电或低侧回转端信号指示所述开关节点处的所述电压减小而致使所述低侧电源开关不导电。

3.根据权利要求2所述的半桥GaN电路，其中所述低侧电源开关驱动器经配置以响应于来自所述控制器的所述低侧信号指示所述低侧电源开关导电且所述低侧回转端信号指示所述开关节点处的所述电压不减小而致使所述低侧电源开关导电。

4.根据权利要求1或2中任一项所述的半桥GaN电路，其中所述高侧电源开关驱动器经配置以从所述控制器接收高侧控制信号，从所述高侧回转检测电路接收所述高侧回转端信号，且基于所述高侧控制信号和所述高侧回转端信号两者控制所述高侧电源开关的所述导电状态。

5.根据权利要求1或2中任一项所述的半桥GaN电路，其中，响应于所述高侧电源开关的所述漏极处的所述电压与所述高侧电源开关的所述源极处的所述电压之间的差减小，所述电容器和所述偏置电路协作地配置以将所述感测节点驱动到致使所述输出电路产生所述高侧回转端信号的电压，所述高侧回转端信号指示所述高侧电源开关的所述漏极处的所述电压与所述高侧电源开关的所述源极处的所述电压之间的所述差减小。

6.根据权利要求2所述的半桥GaN电路，其中，响应于所述低侧电源开关的所述漏极处的所述电压与所述低侧电源开关的所述源极处的所述电压之间的差减小，所述电容器和所述偏置电路协作地配置以将所述感测节点驱动到致使所述输出电路产生所述低侧回转端信号的电压，所述低侧回转端信号指示所述低侧电源开关的所述漏极处的所述电压与所述低侧电源开关的所述源极处的所述电压之间的所述差减小。