[发明专利]一种TOPCon结构电池的制备方法

权利要求书

1.一种TOPCon结构电池的制备方法，包括去除多晶硅绕镀的步骤，其特征在于：

在去除多晶硅绕镀的步骤之前，保留硅片正面BSG；

在去除多晶硅绕镀的步骤中，通过配入了添加剂的碱溶液去除硅片正面的多晶硅；

所述添加剂，其各组分的质量百分含量为：2%～5%的单硬脂酸甘油酯，1%～2.5%的二甘醇，1%～2.5%的月桂酸钠，1%～2%的β-环糊精，余量为去离子水；

所述碱溶液为KOH溶液或NaOH溶液。

2.根据权利要求1所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于，所述KOH溶液中KOH的质量百分含量为1%～3%；NaOH溶液中NaOH的质量百分含量为1%～3%。

3.根据权利要求2所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于，所述添加剂与碱溶液的质量比为0.5～3:100。

4.根据权利要求3所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于，在去除多晶硅绕镀的步骤中，硅片浸入碱溶液中120～700S，且碱溶液的温度控制在60～85℃。

5.根据权利要求4所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于，其具体步骤包括：

1）制绒；

2）硼扩散；

3）酸刻蚀：对硅片背面进行单面酸清洗刻蚀，保留硅片正面BSG；

4）LPCVD镀上氧化层和多晶硅，并完成扩磷；

5）去除正面PSG；

6）去除正面多晶硅绕镀；

7）去除正面BSG和背面PSG；

8）镀正面和背面氮化硅膜；

9）丝印烧结。