[发明专利]一种制备大面积硒化锑薄膜的设备及其方法和应用

权利要求书

1.一种制备大面积硒化锑薄膜的设备，其特征是，在沉积设备的沉积室内水平固定有圆筒，所述圆筒的一侧与氩气供气管相连通，圆筒的另一侧开有水平方向延伸的长条孔，在圆筒内同轴设有用于盛装硒化锑颗粒的圆筒形的网漏，所述网漏的一端连有转轴并可在圆筒内旋转；

在与所述长条孔相对的位置设有样品台，所述样品台与升降杆相连并可随升降杆匀速上下移动，在样品台与长条孔相对的台面上设有衬底，所述样品台连接有热电偶和用于监测衬底温度的第一温度计，在样品台与圆筒之间设有挡板，所述挡板的顶端与沉积室顶面相连，所述挡板的底端沿与长条孔的上沿处于同一高度；

所述沉积室配置有冷却水循环套、用于抽真空的机械泵、放气阀和压力表，所述圆筒设有用于监测硒化锑源温度的第二温度计。

2.根据权利要求1所述的制备大面积硒化锑薄膜的设备，其特征是，所述衬底的面积≥5×5cm²。

3.根据权利要求1所述的制备大面积硒化锑薄膜的设备，其特征是，所述长条孔的长度大于衬底的宽度，所述网漏的长度大于长条孔的长度。

4.一种制备大面积硒化锑薄膜的方法，其特征是，包括以下步骤：

a、设置权利要求1~3任一所述设备；

b、将衬底固定在样品台上，在网漏中装入硒化锑颗粒，然后将网漏装入圆筒内；

c、抽真空，然后对衬底和硒化锑源进行升温操作并通入高纯氩气；

d、沉积硒化锑薄膜，在沉积过程中，使网漏匀速旋转，同时通过控制升降杆使样品台匀速上下移动；高纯氩气的气体流量控制在18~20 sccm，沉积压强为6.5~7.5Pa；衬底温度为320~380℃，硒化锑源的温度在520~560℃之间调控；

e、通过调节样品台上下运动次数来对硒化锑薄膜的厚度进行控制；待沉积的薄膜达到预设厚度后，降温，取出样品。

5.根据权利要求4所述的制备大面积硒化锑薄膜的方法，其特征是，所述网漏中单次装入硒化锑颗粒的量不超过网漏容量的1/3。

6.一种权利要求4或5所述的制备大面积硒化锑薄膜的方法在制作含大面积硒化锑薄膜的太阳能电池中的应用。