[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910657445.X 申请日: 2019-07-19
公开(公告)号: CN112054779A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 隋欢;齐飞;杨国煌 申请(专利权)人: 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10;H03H3/02
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 王宏婧
地址: 201210 上海市浦东新区中国(上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 声波 谐振器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括:

第一衬底及设置在所述第一衬底上的第一支撑层,所述第一支撑层中设置有第一空腔;

盖设于所述第一空腔的顶部开口上的压电叠层,包括依次设置在所述第一支撑层上的第一电极、压电层和第二电极,所述压电叠层包括有效工作区和包围所述有效工作区的寄生工作区,在所述寄生工作区,所述第一电极和所述第二电极在厚度方向上具有相对区域;

第一分离结构,分离所述第一电极使在至少部分所述相对区域,部分所述寄生工作区的第一电极与所述有效工作区的第一电极绝缘;

和/或,

第二分离结构,分离所述第二电极使在至少部分所述相对区域,部分所述寄生工作区的第二电极与所述有效工作区的第二电极绝缘。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一分离结构包括形成在所述第一电极内的第一开口,所述第一开口分割所述第一电极,使分割后的第一电极各个部分相互断开;或,所述第一分离结构包括形成在所述第一电极的第一开口及填充于所述第一开口的绝缘材料。

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第二分离结构包括形成在所述第二电极内的第二开口,所述第二开口分割所述第二电极,使分割后的第二电极各个部分相互断开;或,所述第二分离结构包括形成在所述第二电极的第二开口及填充于所述第二开口的绝缘材料。

4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一电极具有第一分割结构,所述第二电极具有第二分割结构,所述第一分割结构和所述第二分割结构互补围成环状,以界定所述有效工作区和所述寄生工作区,所述环状之内为有效工作区,所述环状之外包括寄生工作区。

5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一电极的电连接端位于所述第二分割结构所在侧,所述第二电极的电连接端位于第一分割结构所在侧。

6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一分离结构位于所述第一分割结构所在侧,或者,位于所述第一分割结构和所述第二分割结构的交界处;

和/或,

所述第二分离结构位于所述第二分割结构所在侧,或者,位于所述第一分割结构和所述第二分割结构的交界处。

7.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一分割结构包括第一凹槽,所述第一凹槽沿厚度方向贯穿所述第一电极和所述压电层;和/或所述第二分割结构包括第二凹槽,所述第二凹槽沿厚度方向贯穿所述第二电极和所述压电层。

8.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一空腔上方,所述寄生工作区的第一电极为环绕所述有效工作区的面电极;

所述第一开口在所述第一分割结构和所述第二分割结构交界处分割所述第一电极,并延伸直至分割开所述第一电极。

9.根据权利要求8所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一空腔上方,所述寄生工作区的第二电极为环绕所述有效工作区的面电极;

所述第二开口在所述第一分割结构和所述第二分割结构交界处分割所述第二电极,并延伸直至分割开所述第二电极。

10.根据权利要求9所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一开口和所述第二开口上下相互贯穿,贯穿所述压电层。

11.根据权利要求9所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述有效工作区的形状为多边形环,且所述多边形环的任意两边不平行。

12.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述薄膜体声波谐振器还包括:

设置在所述第二电极上的第二支撑层,所述第二支撑层具有第二空腔,所述第二空腔作为封装腔;

设置于所述第二支撑层上的第二衬底。

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