[发明专利]半导体封装

说明书

公开了一种半导体封装，包括：封装衬底；封装衬底上的第一半导体芯片，该第一半导体芯片包括第一区域和第二区域；第一区域上的第二半导体芯片；第二区域上的热辐射间隔物；第三半导体芯片，由第二半导体芯片和热辐射间隔物支撑；以及模塑层，覆盖第一半导体芯片至第三半导体芯片和热辐射间隔物。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年7月20日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2018-0084510的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体封装，更具体地，涉及包括热辐射间隔物的半导体封装。

背景技术

随着电子工业的快速发展和响应于客户的需求，已经将电子设备制造成尺寸缩小和/或重量轻并且具有更高的容量。已经开发出包括许多半导体芯片的半导体封装。已经开发出包括多个具有各种类型和大小的半导体芯片的半导体封装。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种能够有效地释放从半导体芯片产生的热量的半导体封装。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体封装可以包括：封装衬底；封装衬底上的第一半导体芯片，包括第一区域和第二区域；第一区域中的第二半导体芯片；第二区域中的热辐射间隔物；第三半导体芯片，由第二半导体芯片和热辐射间隔物支撑；以及模塑层，覆盖第一半导体芯片至第三半导体芯片和热辐射间隔物。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体封装可以包括：封装衬底；封装衬底上的第一半导体芯片，包括第一区域和第二区域；第一半导体芯片上的热辐射间隔物，该热辐射间隔物包括：基底，所述基底包括在第一区域中的第一区段和在第二区域中的第二区段，以及在第二区段上的突起；第一区段上的第二半导体芯片；第三半导体芯片，由第二半导体芯片和突起支撑；以及模塑层，覆盖第一半导体芯片至第三半导体芯片和热辐射间隔物。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体封装可以包括：封装衬底；封装衬底上的第一半导体芯片，包括第一区域和第二区域；一对第二半导体芯片，在第一区域中彼此间隔开；第二区域中的热辐射间隔物；一对第三半导体芯片，在一对第二半导体芯片中的对应一个上；以及模塑层，覆盖第一半导体芯片至第三半导体芯片和热辐射间隔物。每个第三半导体芯片可以包括：第二半导体芯片上的第一区段；以及热辐射间隔物上的第二区段。

附图说明

图1A示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的半导体封装的平面图。

图1B示出了沿图1A的线A-A′截取的横截面图。

图1C示出了沿图1A的线B-B′截取的横截面图。

图2A和图3A示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的制造半导体封装的方法的平面图。

图2B和3B示出了分别沿图2A和3A的线A-A′截取的横截面图。

图2C和3C示出了分别沿图2A和3A的线B-B′截取的横截面图。

图4A示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的半导体封装的平面图。

图4B示出了沿图4A的线A-A′截取的横截面图。

图5示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的半导体封装的平面图。

图6A示出了沿图1A的线A-A′截取的横截面图。

图6B示出了沿图1A的线B-B’截取的横截面图。

具体实施方式

图1A示出了示出根据本发明构思的一些示例实施例的半导体封装的平面图。图1B示出了沿图1A的线A-A′截取的横截面图。图1C示出了沿图1A的线B-B′截取的横截面图。