[发明专利]X射线检测器、半导体存储器件及其测试方法和制造方法

说明书

一种半导体存储器件包括第一数据输入/输出(I/O)焊盘、X射线检测器和第二数据I/O焊盘。第一数据I/O焊盘接收测试信号。X射线检测器连接到第一数据I/O焊盘，X射线检测器包括双极结型晶体管(BJT)，在BJT中在输入端和输出端之间的电压随着针对半导体存储器件的累积X射线剂量而变化，并且X射线检测器基于测试信号生成指示BJT的输入端和输出端之间的电压的测试结果信号。第二数据I/O焊盘连接到X射线检测器并输出测试结果信号。

相关申请的相交引用

本公开要求于2018年10月1日在韩国知识产权局(KIPO)提交的题为“X射线检测器、包括X射线检测器的半导体存储器件、测试半导体存储器件的方法以及制造半导体存储器件的方法”的韩国专利申请No.10-2018-0116786的优先权，其全部公开通过引用合并于此。

技术领域

示例实施例大体上涉及半导体器件，更具体地，涉及X射线检测器、包括X射线检测器的半导体存储器件、测试半导体存储器件的方法以及制造半导体存储器件的方法。

背景技术

半导体存储器件通过执行写入操作将数据存储在存储单元中，并通过执行读取操作来读取所存储的数据。半导体存储器件通常可以根据它们在与电源断开连接时是否保留所存储的数据而被划分成两类。这些类别包括易失性存储器件和非易失性存储器件，易失性存储器件在断电时会丢失所存储的数据，非易失性存储器件在断电时会保留所存储的数据。在半导体存储器件的制造和组装期间已经执行了X射线检查以检测缺陷。随着半导体工艺技术的不断发展以及布线宽度和芯片厚度的减小，X射线对半导体存储器件的损害正在增加。然而，对X射线剂量进行定量是困难的。

发明内容

根据示例实施例，一种半导体存储器件包括第一数据输入/输出(I/O)焊盘、X射线检测器和第二数据I/O焊盘。所述第一数据I/O焊盘接收测试信号。所述X射线检测器连接到所述第一数据I/O焊盘，所述X射线检测器包括双极结型晶体管(BJT)，在所述BJT中在输入端和输出端之间的电压随着针对所述半导体存储器件的累积X射线剂量而变化，所述X射线检测器基于所述测试信号生成指示所述BJT的输入端和输出端之间的电压的测试结果信号。所述第二数据I/O焊盘连接到所述X射线检测器并输出所述测试结果信号。

根据示例实施例，一种X射线检测器包括电流源、双极结型晶体管(BJT)和电压测量器。所述电流源连接到半导体存储器件的第一数据输入/输出(I/O)焊盘，并且基于从所述第一数据I/O焊盘接收的测试信号生成第一电流。所述BJT连接到所述电流源并包括发射极、基极和被施加所述第一电流的集电极。所述电压测量器连接到所述BJT和所述半导体存储器件的第二数据I/O焊盘，并且当所述第一电流被施加到所述BJT的集电极时，基于所述BJT的集电极和发射极之间的电压生成测试结果信号，以通过所述第二数据I/O焊盘输出所述测试结果信号。所述BJT的集电极和发射极之间的电压随着针对所述半导体存储器件的累积X射线剂量而变化。

根据示例实施例，在测试半导体存储器件的方法中，将测试信号施加到半导体存储器件的第一数据输入/输出(I/O)焊盘，所述半导体存储器件包括：所述第一数据I/O焊盘；X射线检测器，连接到所述第一数据I/O焊盘且包括双极结型晶体管(BJT)，在所述BJT中在输入端和输出端之间的电压随着针对所述半导体存储器件的累积X射线剂量而变化；以及第二数据I/O焊盘，连接到所述X射线检测器。基于测试结果信号来确定所述半导体存储器件是否有缺陷，所述测试结果信号是由所述X射线检测器基于所述测试信号生成的，指示所述BJT的输入端和输出端之间的电压并且通过所述第二数据I/O焊盘输出。