[发明专利]霍山石斛组培苗培育及炼苗方法

说明书

本发明涉及一种农业种植技术。一种霍山石斛组培苗培育及炼苗方法，包括：1）无菌种子混合液制备与原球茎诱导，用无菌滴管吸适量种子混合液，逐一滴入诱导培养基中，培养18‑22天，获得小圆形颗粒状原球茎；2）将原球茎分散转接至增殖培养基中，培养18‑30天，获得大量原球茎；3）将增殖培养获得的原球茎，转接在分化培养基中，培养35‑40天，让其分化形成根、茎、叶俱全的幼苗；4）把幼苗转接到壮苗与生根培养基中，培养80‑90天，获得大量的健壮组培苗；5）当霍山石斛组培苗长出4～6片真叶，苗高5～7cm，单株根数3条以上，且根系完好，即可进行炼苗。本发明培育的组培苗长势健壮，移栽成活率高，性状优良稳定，对促进霍山石斛规模化和产业化种植，具有重要的技术指导作用。

技术领域

本发明涉及农业种植技术，尤其是涉及一种霍山石斛组培苗及炼苗方法。

背景技术

霍山石斛(Dendrobium huoshanense)属兰科石斛属多年生附生草本植物，分布于安徽霍山、河南南召。又称霍斛、米斛，为中药石斛的上品，位于九大仙草之首，素有“千金草、软黄金”之称。

近来研究表明，霍山石斛含有的多种生物碱、石斛多糖、毛兰素等生物活性物质，不仅具有清音润喉、滋阴清肺、生津止渴之功效，还有软化血管、降血压、抗肿瘤、抗衰老、增强机体免疫力等作用。中国科技大学、中山医科大学研究表明:“霍山石斛具有增强 T 细胞、B 细胞、NK 细胞和巨噬细胞的作用，对抑制肿瘤和降血糖有非常好的疗效”。

天然霍山石斛生长在云雾缭绕的悬崖峭壁石缝间，因种子无胚乳，在自然条件下，萌发率极低，又加之生长条件极为苛刻、生长特慢，药效显著而价格昂贵，市场需求量大，导致了人们长期地疯狂采挖，现已频临灭绝。天然的霍山石斛喜潮湿，忌积水；喜光怕暴晒；喜空气流通忌闷捂；喜温暖忌寒又怕高温，5℃以下、30℃以上停止生长。

当前，霍山石斛人工栽培产业在全国范围内刚刚起步，然而，由于霍山石斛对生境苛求，获种苗困难，采用传统的扦插、分株等方法进行繁殖，周期长，增繁系数极低。即使有人工培育组培苗及炼苗，也存在着组培苗生长慢、苗瘦、玻璃化严重及炼苗时易污染、死亡率高和生长迟缓等难题，极大地制约了霍山石斛大规模的产业化发展。

因此，为保护霍山石斛野生资源，变野生为栽培种，推动霍山石斛的产业化发展，急需优化的霍山石斛组培苗培育及炼苗方法。

发明内容

本发明提出一种优化的霍山石斛组培苗培育及炼苗方法，以弥补霍山石斛种子难萌发、优而壮苗难培育、炼苗难成活及长势弱等技术难题，为挽救濒临灭绝的珍稀药材—霍山石斛，提供了规模化、标准化、产业化生产的科学技术依据。

本发明采用的技术方案：

本发明霍山石斛组培苗的培育及炼苗方法，包含步骤如下：

（1）无菌种子混合液制备与原球茎诱导

对霍山石斛稍泛黄、未开裂的饱满成熟果实进行常规消毒处理，把处理后的霍山石斛果实用无菌刀切开，将种子抖入适量的无菌水中摇匀，制成无菌种子混合液。配制诱导培养基：1/2M S+6-BA 0.6m g/L+NAA0.4m g/L+土豆汁20g/ L +蔗糖30g/ L +琼脂7g/ L ，PH为5.8。用无菌滴管吸适量种子混合液。逐一滴入诱导培养基中，进行培养，在温度为23～26℃、光照时间10～12 h/d、光照强度1600 Lx～2000 Lx的条件下，培养18～22d，获得原球茎；

（2）增殖培养

制备增殖培养基：M S+2，4-D 0.2m g/L+NAA0.4m g/L+土豆汁20g/ L +蔗糖30g/ L +琼脂7g/ L ，PH为5.8。将诱导获得的原球茎分散转接至增殖培养基中，温度为24～26 ℃、光照时间12 h/d、光照强度2000 Lx～2500 Lx的条件下，培养30天，获得大量原球茎；