[发明专利]一种电子器件用半导体晶片抛光设备

说明书

本发明公开了一种电子器件用半导体晶片抛光设备，涉及半导体晶片加工技术领域，本发明通过设置磁致伸缩复合层，并将磁致伸缩复合层设置在弹性层与所述抛光层之间或者抛光层内，利用电磁控制机构对所述磁致伸缩复合层的伸缩变形进行控制，这样，可有效的实现对抛光垫的研磨效率和精度进行控制，并能够使得磁致伸缩复合层的变形随着所述抛光垫与晶片之间的相对转速的增高而变大，通过磁致伸缩复合层的变形来提高浆孔的通浆能力，提高对抛光垫的降温效果以及带走去除抛光碎屑的能力，保证晶片抛光质量，而转速降低时，可降低这种变形，使得抛光效率更高，孔隙更小，提高晶片表面的光滑度，降低孔隙过大对抛光晶片产生的不良影响。

技术领域

本发明涉及半导体晶片加工技术领域，具体是一种电子器件用半导体晶片抛光设备。

背景技术

对于晶片的抛光来说，目前最为流行的抛光方式是采用化学机械研磨，化学机械抛光(CMP)为一种结合化学力与机械力来让表面平滑的抛光方法。其是使用具有研磨与腐蚀作用的化学研磨浆，且与研磨垫一并使用，化学机械抛光能有效的移除在晶圆上的材料，且易于使晶圆的不规则起伏变得平坦稳定，进而使晶圆的表面质量达到较高的等级。

目前，在对晶片进行抛光时，由于抛光垫与晶片之间转速较高，之间的摩擦生热较多，这就需要研磨浆液能够很好的进行散热，并能够将研磨过程中掉落的碎屑携带走，而且保证抛光垫在规定的温度范围内，对此，目前的抛光垫一般需要在其内部设置空腔或者细孔，以便在抛光过程中使得浆液始终填充于其内部，提高浆液的流动能力。

但是，考虑到晶片的抛光效率以及精度，这种空腔或者细孔的过大过小均会产生不良影响，而且，抛光不同阶段，转速不同，实际上对抛光垫内空腔或者细孔的大小要求也不同，但是，目前的这些设备并没有考虑这一问题，导致不同抛光阶段，抛光的效率或者精度受到影响。

因此，本发明提供了一种电子器件用半导体晶片抛光设备，以解决上述背景技术中提出的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子器件用半导体晶片抛光设备，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种电子器件用半导体晶片抛光设备，包括工作台、升降控制座、驱动机构、晶片固定机构和抛光垫，其中，所述工作台内设置有对晶片进行驱动转动并对晶片进行固定的晶片固定机构，所述工作台上还安装设置有所述升降控制座，所述升降控制座上支撑设置有所述驱动机构，所述驱动机构的端部连接有所述抛光垫；所述抛光垫包括从上往下依次连接的支撑层、弹性层和抛光层，所述抛光层上设置有多个供研磨浆进入的浆孔，其特征在于，还包括磁致伸缩复合层，所述磁致伸缩复合层设置在所述弹性层与所述抛光层之间或者抛光层内；

还包括电磁控制机构，所述电磁控制机构对所述磁致伸缩复合层的伸缩变形进行控制。

进一步，作为优选，所述电磁控制机构构设为使得所述磁致伸缩复合层的变形随着所述抛光垫与所述晶片之间的相对转速的增高而变大。

进一步，作为优选，所述工作台上位于所述晶片固定机构的四周还设置有电磁屏蔽罩安装槽，所述电磁屏蔽罩可拆卸的扣合安装在所述电磁屏蔽罩安装槽内。

进一步，作为优选，所述磁致伸缩复合层包括多个同轴心布置的圆环形薄片结构，且所述圆环形薄片结构粘结固定在所述弹性层与所述抛光层之间。

进一步，作为优选，所述磁致伸缩复合层为圆盘形薄片结构，所述抛光层包括多层层叠粘结在一起的抛光层单元，且相邻的两个抛光层单元之间粘结设置有所述圆盘形薄片结构，且所述浆孔贯通整个抛光层以及圆盘形薄片结构。

进一步，作为优选，所述圆环形薄片结构、圆盘形薄片结构的厚度大于0.1mm且小于1.5mm。

进一步，作为优选，所述磁致伸缩复合层采用Terfenol-D粒子、环氧树脂、聚酰胺、石墨混合制备而成。