[发明专利]掩模版在审

专利信息
申请号: 201910659005.8 申请日: 2019-07-22
公开(公告)号: CN110320740A 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 张志伟;陈孝贤 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G03F1/38 分类号: G03F1/38;G02B5/28
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 频谱调节 掩模结构 曝光机 基底 频谱 掩模版 申请 图案 材料特征 光路系统 结构形成 透明状 膜层 掩模
【说明书】:

本申请提供一种掩模版,其包括基底、掩模结构和频谱调节结构;基底呈透明状;掩模结构具有图案,用于形成具有所述图案的膜层,所述掩模结构形成在所述基底上;频谱调节结构,用于调整曝光机光路系统发出光线的频谱,所述频谱调节结构形成在所述掩模结构上。本申请通过频谱调节结构的设置,改善和调整曝光机原先的频谱,以使曝光机和本申请掩模版结合以形成符合特定材料特征的频谱。

技术领域

本申请涉及一种显示技术,特别涉及一种掩模版。

背景技术

彩色滤光片在液晶显示技术中占有重要的作用,起到了彩色显示的效果。目前主要使用颜料分散法来进行彩色滤光片的制作,而曝光技术作为颜料分散法中最为重要的技术,起到了将掩模版上图形转移到玻璃基板上。

由于价格、生产节拍等因素,通常会选择使用接近式曝光机来完成曝光工艺。传统的接近式曝光机在曝光光路系统确认后,曝光机的频谱就会固定下来,不同的曝光机可能随着曝光系统的不同,频谱完全不同。而色阻材料会随着不同曝光频谱表现出不同的材料特性。

其中,在形成不同材料特性的色阻材料时,曝光机的光线需要穿透掩模版来完成曝光工艺。

如果需要调整曝光机的频谱,必须在曝光机硬件上新增截止滤波片(cutfilter),即需要花费一定时间和金钱对曝光机设备硬件、软件进行更改。且多数曝光机厂商在安装截止滤波片之后,由于已经对出厂时曝光机硬件进行修改,所以不提供硬件的后期保修服务,增加了后期的保修成本。

因此为了节约设备改造成本和后期保修成本,本申请提供了一种新型的掩模版,以解决上述技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种掩模版,以解决现有的掩模版不能用于调整曝光机发出光线的频谱的技术问题。

本申请实施例提供一种掩模版,其包括:

基底,呈透明状;

掩模结构,具有图案,用于形成具有所述图案的膜层,所述掩模结构形成在所述基底上;以及

频谱调节结构,用于调整曝光机光路系统发出光线的频谱,所述频谱调节结构形成在所述掩模结构上。

在本申请的掩模版中,所述频谱调节结构包括至少一高折射膜层和至少一低折射膜层,所述高折射膜层和所述低折射膜层交替层叠设置。

在本申请的掩模版中,在所述频谱调节结构中,相邻的一所述高折射膜层和一低折射膜层层叠设置,二者的层叠界面为一透过界面,所述透过界面用于透射特定的光波长。

在本申请的掩模版中,在所述频谱调节结构中,相邻的两个所述透过界面各自用于透过不同特定的光波长,或各自均用于透过相同特定的光波长。

在本申请的掩模版中,所述高折射膜层的折射系数大于等于1.9,所述低折射膜层的折射系数小于等于1.5。

在本申请的掩模版中,所述高折射膜层的材料为TiO2、Ta2O5、Nb2O5和SiOxNy中的一种,所述低折射膜层的材料为SiO2或SiOxNy中的一种。

在本申请的掩模版中,所述高折射膜层的厚度介于50纳米至100纳米之间,所述低折射膜层的厚度介于40纳米至80纳米之间。

在本申请的掩模版中,所述高折射膜层和所述低折射膜层的总层数介于5层至50层之间。

在本申请的掩模版中,所述掩模结构包括形成在基底上的铬层和形成在所述铬层上的保护层。

在本申请的掩模版中,所述保护层为氧化铬保护层。

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