[发明专利]镍金属硅化物生成监控方法

权利要求书

1.一种镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供测试硅片，在所述测试硅片表面上依次形成第一介质层和第二多晶硅层，所述第一介质层作为所述测试硅片和后续形成的第一镍金属硅化物的隔离层；

步骤二、在所述第二多晶硅层表面形成镍铂合金；

步骤三、进行生成所述第一镍金属硅化物的第一次退火工艺，所述第一次退火工艺使所述镍铂合金和所述第二多晶硅层的硅反应形成分子式为Ni₂Si的所述第一镍金属硅化物；

步骤四、去除所述第一镍金属硅化物表面未反应的剩余所述镍铂合金；

步骤五、测量所述第一镍金属硅化物的方块电阻以对所述第一次退火工艺进行监控；

当步骤五中监控的数据超范围时，对所述步骤三中的所述第一次退火工艺进行工艺参数调整，之后再重复进行步骤一至步骤五；

当步骤五中监控的数据在要求范围内时，采用所述第一次退火工艺的工艺参数进行产品硅片的生产。

2.如权利要求1所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：所述第一介质层的材料包括氧化层或氮化层。

3.如权利要求1所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：步骤二中采用溅镀工艺形成所述镍铂合金。

4.如权利要求3所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：步骤二中在形成所述镍铂合金之后，还包括在所述镍铂合金的表面形成第三保护层的步骤，所述第三保护层防止所述镍铂合金被氧化；步骤四中需要先去除所述第三保护层再去除所述镍铂合金。

5.如权利要求4所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：所述第三保护层的材料包括TiN。

6.如权利要求5所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：所述第三保护层采用溅镀工艺形成。

7.如权利要求1所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：步骤三中所述第一次退火工艺采用快速热退火。

8.如权利要求7所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：所述第一次退火工艺的温度为200℃～350℃。

9.如权利要求1所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：步骤五中采用四探针测试仪测试所述方块电阻。

10.如权利要求9所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：步骤五中在所述第一镍金属硅化物上进行多点测试。

11.如权利要求10所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：步骤五中的测试点均匀分布在所述第一镍金属硅化物上。

12.如权利要求11所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：步骤五中对所述第一次退火工艺进行监控的数据包括方块电阻以及方块电阻的分布的均匀性。

13.如权利要求1所述的镍金属硅化物生成监控方法，其特征在于：在所述产品硅片的生产过程中，包括如下步骤：

首先将所述产品硅片上的镍金属硅化物的形成区域打开；

之后，形成镍铂合金；

之后进行所述第一次退火工艺在所述镍金属硅化物的形成区域形成所述第一镍金属硅化物；

之后去除所述第一镍金属硅化物表面未反应的剩余所述镍铂合金；

之后再进行第二次退火工艺将所述第一镍金属硅化物转化为分子式为NiSi的第二镍金属硅化物。