[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201910659838.4 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110783191B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 河阪俊行;川田春雄 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在包括衬底和在所述衬底上的氮化物半导体层的衬底产品的表面上形成含Al的金属膜，所述金属膜覆盖通孔形成预定区域，并且所述衬底产品的所述表面位于所述氮化物半导体层侧；
形成蚀刻掩模，所述蚀刻掩模具有用于暴露在所述衬底产品的背表面上的所述通孔形成预定区域的开口，所述衬底产品的所述背表面位于所述衬底侧；以及
通过反应离子蚀刻在所述衬底产品中形成通孔，所述通孔从所述背表面到达所述表面并且暴露所述金属膜，
其中，在形成所述通孔时，在至少包括蚀刻终止的时段期间使用含氟的反应气体。
2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述衬底是SiC衬底，并且
其中，在形成所述通孔时，使用所述含氟的反应气体蚀刻在所述通孔形成预定区域中的所述SiC衬底的至少一部分。
3.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述蚀刻掩模含有Ni和Cu中的至少一种。
4.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，
其中，所述含氟的反应气体是SF6和O2的混合气体。
5.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，
其中，在形成所述通孔时，使用所述含氟的反应气体蚀刻所述通孔形成预定区域中的所述氮化物半导体层。
6.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，
其中，在形成所述通孔时，使用含氯的反应气体蚀刻所述通孔形成预定区域中的所述氮化物半导体层的一部分，并且然后使用所述含氟的反应气体蚀刻所述通孔形成预定区域中的所述氮化物半导体层的剩余部分。
7.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，还包括：
在形成所述通孔之后，将所述通孔中暴露的所述金属膜暴露于含惰性气体的等离子体；并且
形成与所述通孔中的所述金属膜接触的导电膜。
8.根据权利要求1或2所述的制造半导体器件的方法，其中，形成所述金属膜包括：
在所述衬底产品的所述表面上形成由Ti或Ta制成的第一层；
在所述第一层上形成由Al制成的第二层；并且
使所述第一层和所述第二层合金化。
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