[发明专利]蚀刻剂组合物和使用其制造布线基板的方法

权利要求书

1.一种用于双金属层的蚀刻剂组合物，所述双金属层包括第一金属层和第二金属层，其中所述第一金属层包括钛层、钛合金层中的至少一个，并且其中所述第二金属层包括铜层、铜合金层中的至少一个，所述蚀刻剂组合物由以下组成：

等于1.0 wt%或20.0 wt%或在1.0 wt%和20.0 wt%之间的过氧硫酸盐；

等于0.1 wt%或5.0 wt%或在0.1 wt%和5.0 wt%之间的环胺化合物；

等于0.5 wt%或1.5wt%或在0.5wt%和1.5 wt%之间的包括羧基的第一两性化合物；

等于0.5wt%或5.0wt%或在0.5 wt%和5.0 wt%之间的包括砜基和胺基并且在水溶液状态下为中性的第二两性化合物，

等于0.01 wt%或2.0 wt%或在0.01 wt%和2.0 wt%之间的含氟化合物；

等于0.01 wt%或5.0 wt%或在0.01 wt%和5.0 wt%之间的含氯化合物；

等于0.5 wt%或10.0 wt%或在0.5 wt%和10.0 wt%之间的无机酸；以及

等于0.5wt%或8.0 wt%或在0.5 wt%和8.0 wt%之间的有机酸，

其中，所述第二两性化合物不同于所述第一两性化合物，

其中所述第一两性化合物与所述第二两性化合物的重量比等于2:1或1:5或在2:1和1:5之间，且

其中所述第一两性化合物与所述有机酸的重量比等于2:1或1:8或在2:1和1:8之间。

2.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述过氧硫酸盐的重量百分比大于所述第一两性化合物的重量百分比。

3.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述第一两性化合物包括由以下式Ia、式Ib、式Ic、式Id和式Ie表示的化合物中的至少一种：

式Ia

式Ib

式Ic

式Id

式Ie。

4.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述第二两性化合物包括由以下式IIa、式IIb和式IIc表示的化合物中的至少一种：

式IIa

式IIb

式IIc。

5.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述过氧硫酸盐包括过氧二硫酸钾、过氧二硫酸钠或过氧二硫酸铵。

6.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述环胺化合物包括5-氨基四唑、1-甲基-5-氨基四唑、5-甲基四唑、1-乙基-5-氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷和吡咯啉中的至少一种。

7.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述含氟化合物包括氟化铵、氟化钠、氟化钾、亚硫酸氢铵、亚硫酸氢钠和亚硫酸氢钾中的至少一种。

8.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述含氯化合物包括盐酸、氯化钠、氯化钾、氯化铵、氯化铁(III)、高氯酸钠、高氯酸钾、乙磺酰氯和甲磺酰氯中的至少一种。

9.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述无机酸包括硝酸、硫酸、磷酸和亚磷酸中的至少一种。

10.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述有机酸包括乙酸、甲酸、丙烯酸、丁酸、戊酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、苯甲酸、丁二酸、邻苯二甲酸、水杨酸、乳酸、甘油酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸和异柠檬酸中的至少一种。

11.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，进一步包括：

等于0.01 wt%或5.0 wt%或在0.01 wt%和5.0 wt%之间的铜盐，

其中，所述铜盐包括硫酸铜、氯化铜和硝酸铜中的至少一种。