[发明专利]存储器控制器

说明书

一种存储器控制器，包括接收电路、控制电路以及处理电路。接收电路接收第一写入指令、第一写入数据、第二写入指令以及第二写入数据。控制电路判断第一写入指令及第二写入指令是否为部分写入指令。当第一写入指令及第二写入指令为部分写入指令时，在读取期间，处理电路根据第一写入指令及第二写入指令读取存储阵列，用以产生第一读取数据及第二读取数据。控制电路根据第一读取数据及第二读取数据修改第一写入数据及第二写入数据，用以产生第一修改数据以及第二修改数据。在写入期间，处理电路将第一修改数据及第二修改数据写回存储阵列。

技术领域

本发明涉及一种存储器控制器，尤其涉及一种执行部分写入指令(partial writecommand)的存储器控制器。

背景技术

一般而言，存储器控制器用以存取存储阵列。当存储器控制器接收到读取指令时，存储器控制器读取存储阵列。当存储器控制器接收到写入指令时，存储器控制器写入数据至存储阵列中。当存储器控制器接收到部分写入指令(partial write command)时，存储器控制器需进行读取-修改-写入(read-modify-write)操作。举例而言，存储器控制器先读取存储阵列，并修改读取结果，再将修改结果写回存储阵列。

当存储器控制器接收到多个部分写入指令时，存储器控制器需不断地切换操作。举例而言，假设存储器控制器接收第一部分写入指令以及第二部分写入指令。在此例中，存储器控制器对存储阵列进行两次的读取-修改-写入操作。由于存储器控制器可能由第一读取操作切换至第一写入操作，再由第一写入操作切换至第二读取操作，再由第二读取操作切换至第二写入操作，故存储器控制器花费许多时间进行切换。当部分写入指令的数量愈多时，存储器控制器需要更多的时间处理部分写入指令。

发明内容

本发明提供一种存储器控制器，用以存取存储阵列，并包括接收电路、控制电路以及处理电路。接收电路接收第一写入指令、第一写入数据、第二写入指令以及第二写入数据。控制电路判断第一写入指令及第二写入指令是否为部分写入指令。当第一写入指令及第二写入指令为部分写入指令时，在读取期间，该处理电路根据第一写入指令读取该存储阵列，用以产生第一读取数据，并根据第二写入指令读取存储阵列，用以产生第二读取数据。控制电路根据第一读取数据修改第一写入数据，用以产生第一修改数据，并根据第二读取数据修改第二写入数据，用以产生第二修改数据。在写入期间，处理电路将第一修改数据及第二修改数据写回存储阵列。

附图说明

图1为本发明的操作系统的示意图；

图2为本发明的操作系统的另一示意图；

图3为本发明的处理电路的一可能实施例；

图4为本发明针对部分写入指令的操作时序图。

具体实施方式

为让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出实施例，并配合所附图式，做详细的说明。本发明说明书提供不同的实施例来说明本发明不同实施方式的技术特征。其中，实施例中的各组件的配置是为说明之用，并非用以限制本发明。另外，实施例中图式标号的部分重复，是为了简化说明，并非意指不同实施例之间的关联性。

图1为本发明的操作系统的示意图。如图1所示，操作系统100包括存储器控制器110、存储阵列120以及外部装置130。存储器控制器110根据外部装置130所提供的输入信息IF1对存储阵列120进行存取。在一可能实施例中，操作系统100为双倍数据率动态随机存取内存(Double Data Rate Dynamic Random-Access Memory，DDR DRAM)。