[发明专利]一种芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：

发光层，其中，所述发光层的一侧设置有P电极层与N电极层；

位于所述发光层一侧的封装层，其中，所述封装层设置有多个通孔，每个所述通孔连通至所述P电极层或N电极层，且每个所述通孔内均填充有散热导电介质，所述散热导电介质与所述P电极层或N电极层连接。

2.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括引脚焊盘，所述引脚焊盘位于所述封装层远离所述发光层的一侧，每个所述引脚焊盘与多个所述通孔内填充的散热导电介质连接。

3.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括钝化层、光学材料层以及粘合层；

所述钝化层位于所述发光层远离所述封装层的一侧；

所述光学材料层位于所述钝化层远离所述发光层的一侧，且所述钝化层与所述光学材料层通过所述粘合层连接。

4.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述发光层还包括N型氮化物层、多量子阱层以及P型层，所述N型氮化物层、所述多量子阱层以及所述P型层依次连接，且所述P电极层与所述P型层连接，所述N电极层与所述N型氮化物层连接。

5.如权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述N型氮化物层包括外延区与电极区，所述电极区的平面低于所述外延区的平面，所述外延区与所述多量子阱层以及所述P型层依次连接，所述电极区与所述N电极层连接。

6.如权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述发光层还包括N型欧姆接触层、P型欧姆接触层、N型电极连接层以及P型电极连接层，所述P型层、所述P型欧姆接触层、所述P型电极连接层以及所述P电极层依次连接，所述N型氮化物层、所述N型欧姆接触层、所述N型电极连接层以及所述N电极层依次连接。

7.如权利要求6所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片结构还包括阻挡金属层，所述阻挡金属层位于所述P型欧姆接触层与所述P型电极连接层之间。

8.如权利要求6所述的芯片结构，其特征在于，所述N型欧姆接触层、所述N型电极连接层与所述P型欧姆接触层、所述P型电极连接层之间填充有绝缘层。

9.一种芯片结构制作方法，其特征在于，所述芯片结构制作方法包括：

沿发光层的一侧制作封装层；其中，所述发光层的一侧设置有P电极层与N电极层；

在所述封装层上制作通孔，以使所述通孔连通至所述P电极层或所述N电极层；

向所述的通孔内充有散热导电介质，以使所述散热导电介质与所述P电极层或N电极层连接。

10.如权利要求9所述的芯片结构制作方法，其特征在于，在所述向所述的通孔内充有散热导电介质的步骤之后，所述结构制作方法还包括：

沿所述发光层远离所述封装层的一侧沉积钝化层；

利用粘合材料沿所述钝化层的远离所述发光层的一侧粘合光学材料层。