[发明专利]一种MEMS结构

权利要求书

1.一种MEMS(微机电系统)结构，其特征在于，包括：

衬底，具有贯穿的空腔；

第一电极层，形成在所述衬底的正面上方并且覆盖所述空腔，其中，所述第一电极层的材料包括单层或多层二维材料；

第一压电层，形成在所述第一电极层上方；

第二电极层，形成在所述第一压电层上方。

2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，第一支撑层形成在所述衬底的背面、所述空腔的顶部和侧壁上。

3.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一支撑层在形成所述第二电极层之后被去除。

4.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一支撑层的材料包括金属材料。

5.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS结构还包括振膜，所述振膜形成在所述衬底和所述第一电极层之间。

6.根据权利要求所5述的MEMS结构，其特征在于，所述振膜的材料包括二维材料。

7.根据权利要求6所述的MEMS结构，其特征在于，所述振膜的二维材料包括氮化硼、单层或多层石墨烯、云母中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述MEMS结构还包括：

第二压电层，形成在所述第二电极层上方；

第三电极层，形成在所述第二压电层上方；

其中，所述第二压电层的材料与所述第一压电层的材料相同或不同，所述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层的材料相同或不同。

9.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述衬底的材料选自柔性材料、玻璃、塑料、半导体材料中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层的材料包括单层或多层石墨烯或其他导电材料，所述第二电极层的材料包括单层或多层石墨烯或其他导电材料。

11.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一压电层的材料包括具有压电特性的二维材料、氧化物、氮化物、三五族半导体材料或压电陶瓷中的一种或多种。

12.根据权利要求11所述的MEMS结构，其特征在于，所述具有压电特性的二维材料包括二硫化钼(MoS₂)、二硒化钼(MoSe₂)、二碲化钼(MoTe₂)二硫化钨(WS₂)、二硒化钨(WSe₂)、二碲化钨(WTe₂)、氮化硼(BN)中的一种或多种。

13.根据权利要求11所述的MEMS结构，其特征在于，所述氧化物包括氧化镉(CdO)、氧化锌(ZnO)、氧化钙(CaO)、氧化镁(MgO)、氧化镓(GaO)中的一种或多种；所述氮化物包括氮化镓(GaN)、氮化铝中的一种或多种；所述三五族半导体材料包括砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、砷化铝(AlAs)、砷化镓(GaAs)中的一种或多种；所述压电陶瓷包括有机压电膜、钙钛矿型压电膜或驰豫型压电膜中的一种或多种。