[发明专利]封装结构的形成方法

说明书

提供封装结构及其形成方法。方法包含在承载基底上设置第一半导体晶粒，以及形成第一保护层以环绕第一半导体晶粒。方法也包含在第一保护层和第一半导体晶粒上形成介电层。方法还包含将介电层图案化以形成开口，此开口部分地暴露出第一半导体晶粒和第一保护层。此外，方法包含在形成前述的开口之后，将第二半导体晶粒接合至第一半导体晶粒。方法包含形成第二保护层以环绕第二半导体晶粒。

技术领域

本发明的一些实施例涉及封装结构的形成方法，特别涉及具有堆叠的半导体晶粒(die)的封装结构。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业经历了快速的成长。半导体制程持续地进展产生了具有较精密的部件(feature)及高度整合的半导体装置。功能密度(即每一个芯片区中互相连结的装置数量)总体上增加，同时部件尺寸(即使用一制造程序可生产的最小组件)缩小。此尺寸缩减制程一般而言提供增加生产效率以及降低相关成本等优势。

芯片封装体不只对半导体装置提供对于外在环境污染的防护，也对其内部封装的半导体装置提供了连接界面。目前已发展高度较小或利用较少面积的小尺寸的封装结构以对半导体装置进行封装。

目前已发展新的封装技术以进一步提升半导体晶粒的密度和功能。这些相对较新型的半导体晶粒的封装技术面临制造流程的挑战。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供封装结构的形成方法。方法包含在承载基底上设置第一半导体晶粒，以及形成第一保护层以环绕第一半导体晶粒。方法也包含在第一保护层和第一半导体晶粒上形成介电层。方法还包含将介电层图案化以形成开口，此开口部分地暴露出第一半导体晶粒和第一保护层。此外，方法包含在形成前述的开口之后，将第二半导体晶粒接合至第一半导体晶粒。方法还包含形成第二保护层以环绕第二半导体晶粒。

根据本发明的一些实施例，提供封装结构的形成方法。方法包含形成第一保护层以环绕第一半导体晶粒和第二半导体晶粒。方法也包含形成介电层以覆盖第一半导体晶粒、第二半导体晶粒和第一保护层。方法还包含在介电层内形成开口，此开口部分地暴露出第一半导体晶粒、第二半导体晶粒和第一保护层。此外，方法包含在形成前述的开口之后，设置第三半导体晶粒以部分地覆盖第一半导体晶粒和第二半导体晶粒。第三半导体晶粒在第一半导体晶粒与第二半导体晶粒之间形成电性连接。方法还包含形成第二保护层以环绕第三半导体晶粒。

根据本发明的一些实施例，提供封装结构。封装结构包含下半导体晶粒和环绕下半导体晶粒的第一保护层。封装结构也包含部分地覆盖第一保护层和下半导体晶粒的介电层。封装结构还包含在下半导体晶粒和第一保护层上的上半导体晶粒。上半导体晶粒经由连接件与下半导体晶粒接合。此外，封装结构包含环绕连接件的绝缘膜以及环绕上半导体晶粒的第二保护层。

附图说明

通过以下的详述配合附图，我们能更加理解本发明实施例的内容。需注意的是，根据产业上的标准做法，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，这些部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1A-图1J是根据一些实施例，显示形成封装结构的制程中各个阶段的剖面示意图。

图2A-图2F是根据一些实施例，显示形成封装结构的制程中各个阶段的剖面示意图。

图3是根据一些实施例，显示封装结构的剖面示意图。

图4A和图4B是根据一些实施例，显示形成封装结构的制程中各个阶段的剖面示意图。

图5A和图5B是根据一些实施例，显示形成封装结构的制程中各个阶段的剖面示意图。

图6是根据一些实施例，显示封装结构的剖面示意图。

图7是根据一些实施例，显示封装结构的剖面示意图。

其中，附图标记说明如下：