[发明专利]PIN二极管及其形成方法、静电保护结构

权利要求书

1.一种PIN二极管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一半导体层，所述第一半导体层中掺杂有第一类型的掺杂离子；

在所述第一半导体层上形成第一本征层；

在所述第一本征层上形成第二半导体层，所述第二半导体层中掺杂有第二类型的掺杂离子，所述第一类型的掺杂离子与所述第二类型的掺杂离子的类型不同；

在所述第二半导体层上形成第二本征层；

在所述第二本征层表面上重复进行依次形成所述第一半导体层、所述第一本征层、所述第二半导体层和所述第二本征层的步骤。

2.如权利要求1所述的PIN二极管的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料为硅、锗或硅锗。

3.如权利要求1或2所述的PIN二极管的形成方法，其特征在于，所述第一类型掺杂离子和所述第二类型的掺杂离子为N型掺杂离子或P型掺杂离子。

4.如权利要求2所述的PIN二极管的形成方法，其特征在于，所述第一本征层和所述第二本征层的材料相同，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料相同。

5.如权利要求1所述的PIN二极管的形成方法，其特征在于，重复进行依次形成所述第一半导体层、所述第一本征层、所述第二半导体层和所述第二本征层的步骤的次数至少为1次。

6.如权利要求1所述的PIN二极管的形成方法，其特征在于，将所有的所述第一半导体层电连接在一起作为PIN二极管的其中一个电极，将所有的所述第二半导体层连接在一起作为PIN二极管的另一个电极，形成并联模式的PIN二极管。

7.如权利要求1所述的PIN二极管的形成方法，其特征在于，将最底层的所述第一半导体层作为PIN二极管的其中一个电极，将最顶层的所述第二半导体层作为PIN二极管的另外一个电极，形成串联模式的PIN二极管。

8.如权利要求1所述的PIN二极管的形成方法，其特征在于，所述基底上或者基底中形成有隔离层，在所述隔离层上形成PIN二极管。

9.如权利要求1所述的PIN二极管的形成方法，其特征在于，所述第一本征层和所述第二本征层中杂质离子的浓度小于1E17/cm³，所述第一本征层和所述第二本征层中晶粒的尺寸小于0.4um，所述第一本征层和所述第二本征层的厚度为0.001～0.5mm。

10.一种PIN二极管，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的依次层叠的至少两层堆叠结构，每一层堆叠结构均包括：第一半导体层，所述第一半导体层中掺杂有第一类型的掺杂离子；位于所述第一半导体层上的第一本征层；位于所述第一本征层上的第二半导体层，所述第二半导体层中掺杂有第二类型的掺杂离子，所述第一类型的掺杂离子与所述第二类型的掺杂离子的类型不同；位于所述第二半导体层上的第二本征层。

11.如权利要求10所述的PIN二极管，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料为硅、锗或硅锗。

12.如权利要求10或11所述的PIN二极管，其特征在于，所述第一类型掺杂离子和所述第二类型的掺杂离子为N型掺杂离子或P型掺杂离子。

13.如权利要求10所述的PIN二极管，其特征在于，所述第一本征层和所述第二本征层的材料相同，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料相同。

14.如权利要求10所述的PIN二极管，其特征在于，将所有的所述第一半导体层电连接在一起作为PIN二极管的其中一个电极，所有的所述第二半导体层连接在一起作为PIN二极管的另一个电极，形成并联模式的PIN二极管。