[发明专利]Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法

权利要求书

1.一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，所述HEMT器件包括衬底、位于衬底上的Ⅲ族氮化物异质结、位于Ⅲ族氮化物异质结上的p型掺杂层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括位于衬底上的沟道层及位于沟道层上的势垒层，所述金属电极包括位于位于Ⅲ族氮化物异质结上的源极和漏极、以及位于p型掺杂层上且位于源极和漏极之间的栅极，其特征在于，所述p型掺杂层包括位于栅下区域的p型掺杂区及位于非栅下区域的钝化区。

2.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括：

截止状态，栅极上未施加电压或施加于栅极的电压低于阈值电压Vth时，栅极下方Ⅲ族氮化物异质结的沟道中无二维电子气的积累；

导通状态，施加于栅极的电压大于或等于阈值电压Vth时，栅极下方Ⅲ族氮化物异质结的沟道中积累二维电子气形成导电通道。

3.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述p型掺杂层为Mg掺杂的Ⅲ族氮化物半导体层。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述钝化区通过对p型掺杂层进行等离子体处理或离子注入形成。

5.根据权利要求4所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述钝化区通过对p型掺杂层进行O等离子体处理或O离子注入形成。

6.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述沟道层和势垒层为Ⅲ族氮化物半导体层。

7.根据权利要求6所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述沟道层和势垒层之间设有插入层。

8.一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底；

在衬底上外延生长Ⅲ族氮化物异质结，Ⅲ族氮化物异质结包括沟道层及势垒层；

在Ⅲ族氮化物异质结上外延生长p型掺杂层；

刻蚀p型掺杂层及部分Ⅲ族氮化物异质结，形成源极区域和漏极区域；

在源极区域和漏极区域分别沉积形成源极和漏极；

对p型掺杂层的非栅下区域进行等离子体处理或离子注入，形成钝化区；

在栅下区域的p型掺杂区上沉积形成栅极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述p型掺杂层为Mg掺杂的Ⅲ族氮化物半导体层，所述钝化区通过对p型掺杂层进行等离子体处理或离子注入形成。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述钝化区通过对p型掺杂层进行O等离子体处理或O离子注入形成。