[发明专利]非对称式差分磁场探头结构

权利要求书

1.一种非对称式差分磁场探头结构，其特征在于，包括：

第一探测部：感应外界磁场产生并输出第一电磁信号；

第二探测部：感应外界磁场产生并输出第二电磁信号；

所述第一探测部与所述第二探测部存在面积差，所述第一电磁信号和所述第二电磁信号组成差分信号；

所述第一探测部和所述第二探测部均包括：开口环部分、传输部分和转接部分；

每个部分分别包括介质基板，所述介质基板包括：

至少两层介质，每层介质上设置有金属导体；

外导体，所述外导体包括上下两层，跨接在所述介质基板上，与所述介质基板形成一个置物空间；

内导体，所述内导体放置在所述置物空间内；

所述第一探测部的介质基板和所述第二探测部的介质基板相连，所述第一探测部的外导体和所述第二探测部的外导体相连，所述第一探测部的内导体和所述第二探测部的内导体平行；

所述第一探测部的开口环部分的上下两层外导体都有开孔，开孔面积相同；

所述第二探测部的开口环部分的上下两层外导体都有开孔，开孔面积相同；

所述第一探测部的开口环部分的外导体开孔面积和所述第二探测部的开口环部分的外导体开孔面积不同；

所述第一探测部的开口环部分的内导体在垂直方向上位于所述第一探测部的开口环部分的外导体开孔的外侧，所围面积等于所述第一探测部的开口环部分的外导体的开孔面积；

所述第二探测部的开口环部分的内导体在垂直方向上位于所述第二探测部的开口环部分的外导体开孔的外侧，所围面积等于所述第二探测部的开口环部分的外导体的开孔面积；

在所述开口环部分设置有共模抑制，所述共模抑制包括：在所述开口环部分的外导体开孔面积较大的探测部，其介质基板和外导体的长度长于所述开口环部分的外导体开孔面积较小的探测部的介质基板和外导体的长度；

所述第一探测部和所述第二探测部均为带状线传输结构。

2.根据权利要求1所述的非对称式差分磁场探头结构，其特征在于，在所述第一探测部的传输部分和所述第二探测部的传输部分设置有多个屏蔽通孔，所述屏蔽通孔设置于所述第一探测部和所述第二探测部的外侧，所述第一探测部和所述第二探测部之间；

所述屏蔽通孔连接上下层外导体，不与内导体接触。

3.根据权利要求1所述的非对称式差分磁场探头结构，其特征在于，所述第一探测部的转接部分和所述第二探测部的转接部分位于所述非对称式差分磁场探头结构的末端，所述第一探测部的转接部分的上层外导体和所述第二探测部的转接部分的上层外导体均设置有开孔，开孔面积相同；

在所述第一探测部的转接部分和所述第二探测部的转接部分各设置有一个转接通孔；

所述第一探测部的转接通孔一端连接所述第一探测部的转接部分的内导体末端，另一端通过所述第一探测部的转接部分的上层外导体开孔，连接至所述介质基板表面，不与所述外导体接触；

所述第二探测部的转接通孔一端连接所述第二探测部的转接部分的内导体末端，另一端通过所述第二探测部的转接部分的上层外导体开孔，连接至所述介质基板表面，不与所述外导体接触。

4.根据权利要求1所述的非对称式差分磁场探头结构，其特征在于，在所述第一探测部的开口环部分和所述第二探测部的开口环部分各设置有一个短接通孔；

所述所述第一探测部的短接通孔位于所述第一探测部的开孔外侧，从下往上依次通过所述第一探测部开口环部分的下层外导体、所述第一探测部开口环部分的内导体末端和所述第一探测部开口环部分的上层外导体；

所述第二探测部的短接通孔位于所述第二探测部的开孔外侧，从下往上依次通过所述第二探测部开口环部分的下层外导体、所述第二探测部开口环部分的内导体末端和所述第二探测部开口环部分的上层外导体。