[发明专利]一种钇改性SiCf有效

专利信息
申请号: 201910663654.5 申请日: 2019-07-23
公开(公告)号: CN110436955B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 刘虎;吕晓旭;齐哲;周怡然;杨金华;焦健;高晔;姜卓钰;艾莹珺 申请(专利权)人: 中国航发北京航空材料研究院
主分类号: C04B38/06 分类号: C04B38/06;C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/634
代理公司: 中国航空专利中心 11008 代理人: 仉宇
地址: 100095 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 改性 sic base sub
【权利要求书】:

1.一种钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,包括以下步骤:

步骤1、制备含钇料浆

将钇粉、粘结剂、造孔剂、助剂和溶剂混合后,再加入研磨球,球磨12~24小时后得到含钇料浆;

步骤2、制备含钇碳化硅纤维预浸料

将含钇料浆涂覆在碳化硅纤维织物表面,然后在20~25℃下晾置1~12小时,得到纤维预浸料;

步骤3、制备含钇成型体

铺叠6~20层所述的纤维预浸料,经热压成型后得到含钇成型体;

步骤4、制备含钇多孔碳预制体

将含钇成型体置于加热炉中进行碳化,加热温度为800~1000℃,碳化时间为0.5~6小时,碳化的气氛为氩气,碳化后得到含钇多孔碳预制体;

步骤5、制备钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料

在石墨坩埚的内表面涂覆氮化硼,将硅粉和所述含钇多孔碳预制体置于石墨坩埚内,将石墨坩埚置于真空加热环境,加热温度为1420~1600℃,加热时间为0.5~4小时,真空度为0.1~100Pa,得到钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料。

2.如权利要求1所述的一种钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述含钇料浆中各组分的质量份数为:钇粉15~30份,粘结剂20~50份,造孔剂5~10份,助剂2~5份,溶剂50~100份。

3.如权利要求1所述的一种钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述碳化硅纤维织物表面沉积了0.1~2μm的氮化硼界面层和0.1~2μm的碳化硅界面层。

4.如权利要求1所述的一种钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述钇粉的粒径为0.5~10μm。

5.如权利要求2所述的一种钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述粘结剂为酚醛树脂、苯并噁嗪树脂、环氧树脂中任意两种的混合物。

6.如权利要求2所述的一种钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述造孔剂为纤维素、聚乙二醇、聚甲基丙烯酸甲酯微球、聚苯乙烯微球中的一种或两种的组合。

7.如权利要求2所述的一种钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述助剂包括基材润湿剂、消泡剂、防沉剂。

8.如权利要求2所述的一种钇改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述溶剂为乙醇、异丙醇、乙酸甲酯、乙酸丁酯、丙酮、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚和丙二醇单丁醚中的两种或多种的组合。

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