[发明专利]集成太阳能电池互联的阻水前板及其加工方法在审
申请号: | 201910663984.4 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN110212052A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 陈培专;陈亚栋;李劼;魏昌华;高翔 | 申请(专利权)人: | 绵阳金能移动能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 贾晓燕 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻水 前板 集成太阳能电池 引流 串接电路 互联 光生电流 汇流条 主栅线 子电池 子栅线 封装 焊点 太阳能子电池 电池片位移 串接导线 电池组件 多层复合 连通状态 汇流 串接点 封装层 高透光 串接 高阻 合片 基材 基底 良率 脱焊 加工 错位 配置 | ||
1.一种集成太阳能电池互联的阻水前板,其特征在于,包括:
基材,其上设置有实现多个太阳能子电池互联的多组串接电路;
其中,各所述串接电路被配置为包括:
用于收集对应子电池负极表面上产生的光生电流,且处于连通状态的多条引流子栅线;
用于将各条引流子栅线收集到的光生电流进行汇集的多个主栅线汇流条;
设置在各主栅线汇流条的引出端,以与下个子电池的正极进行串接,从而通过相邻子电池串接互联构成柔性子电池阵列的串接点。
2.如权利要求1所述集成太阳能电池互联的阻水前板,其特征在于,所述基材从下至上被依次配置为包括:
耐候、耐腐蚀、防污、力学性好的柔性或刚性基底;
设置在基底上的压敏胶层;
设置在压敏胶层上的聚对苯二甲酸塑膜;
其中,所述聚对苯二甲酸塑膜朝向压敏胶层的一侧设置有阻水增透光学薄膜,另一侧设置有聚烯烃类热塑性弹性密封粘接层。
3.如权利要求1所述集成太阳能电池互联的阻水前板,其特征在于,在每个子电池焊接点外边缘位置上设置有U型或圆形结构的绝缘刻线;
其中,所述绝缘刻线被配置为从电池的前表面电极刻到背电极,但不能划透背电极。
4.如权利要求1所述集成太阳能电池互联的阻水前板,其特征在于,所述阻水前板在具有柔性子电池阵列一侧还设置有背密封胶粘层,背部阻水膜层。
5.一种如权利要求1所述阻水前板的加工方法,其特征在于,包括:
S1,串接电路的加工,在基材具有热塑性弹性密封粘接层的一侧,采用丝网印刷或显影刻蚀工艺制备子电池的串接电路;
S2,子电池的排布,将基材带有串接电路的面朝上,将第一子电池、第二子电池的前电极朝下,以使第一子电池、第二子电池分别与串接电路面对面,采用激光焊接的方式使第一子电池、第二子电池分别与对应串接电路上的串接点连接,以通过相邻子电池串接互联构成柔性子电池阵列。
6.如权利要求5所述阻水前板的加工方法,其特征在于,在步骤S1之前还包括以下步骤:
S11,基材的制备,采用耐候、耐腐蚀、防污、力学性好的柔性或刚性基底,并在其上依次复合设置压敏胶层、聚对苯二甲酸塑膜,其中,所述聚对苯二甲酸塑膜朝向压敏胶层的一面镀制有阻水增透光学薄膜,另一面设置有聚烯烃类热塑性弹性密封粘接层阻水增透光学薄膜,以得到高透光、耐高温的阻水板基材;
S12,基材的二次加工,采用凝膜、流延工艺将聚烯烃类热塑性密封胶粘材料均匀的设置在基材一侧侧壁上,以得到对应的热塑性弹性密封粘接层。
7.如权利要求5所述阻水前板的加工方法,其特征在于,在步骤S2之后,还包括以下步骤:
S21,采用热压工艺使柔性子电池阵列和阻水前板粘合成一体;
S22,在阻水前板具有柔性子电池阵列的一侧敷设背密封胶粘层以及背部阻水膜层,进一步通过抽真空加热层压,以将电池串密封起来得到太阳能电池组件。
8.如权利要求5所述阻水前板的加工方法,其特征在于,在步骤S1中,还包括在每个子电池焊接点的外边缘位置上,分别设置对应的具有U型或圆形结构的绝缘刻线;
所述绝缘刻线的制备方法被配置为包括:
从电池的前表面电极一直刻到背电极,但不能划透背电极,以使子电池的各焊接区域相对子电池其它位置间隔开来。
9.如权利要求5所述阻水前板的加工方法,其特征在于,在步骤S2中,子电池与对应串接电路上串接点的焊接方法被配置为包括:
采用激光技术将主栅线汇流条上汇流点的电池膜层清除掉,以漏出第二子电池的底部电极,进而使阻水前板上和第一子电池上部电极相接的焊接点,与第二子电池漏出的底部电极相接触,在采用激光技术焊接后,实现第一子电池和第二子电池正负极的串接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的