[发明专利]垂直存储器装置

权利要求书

1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

栅电极，位于基底上，栅电极在垂直于基底的上表面的第一方向上彼此堆叠并间隔开，栅电极在平行于基底的上表面的第二方向上延伸，并且在垂直于第二方向并平行于基底的上表面的第三方向上布置；

沟道，在第一方向上延伸穿过栅电极；

合并图案结构，在第二方向上延伸，合并图案结构使每个水平的栅电极的延伸部的端部合并，其中，合并图案结构的在第二方向上的边缘具有阶梯形状，并且合并图案结构包括电连接到每个水平的栅电极的延伸部的垫图案；以及

单元接触塞，电连接到合并图案结构中的垫图案中的一个垫图案，单元接触塞在第一方向上延伸穿过合并图案结构，单元接触塞与除了连接到所述一个垫图案的栅电极的延伸部之外的其它水平的栅电极的延伸部电绝缘，单元接触塞与所述一个垫图案下方的导电材料接触，并且单元接触塞的上表面仅接触绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，合并图案结构包括：

导电图案结构，包括连接线、导电线和垫图案，导电图案结构电连接到每个水平的栅电极的延伸部，以及

绝缘结构，位于由导电图案结构限定的空间中，绝缘结构包括具有绝缘材料的牺牲图案。

3.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，连接线在第三方向上延伸，导电线从连接线的在第三方向上的端部沿第二方向延伸，并且垫图案从导电线的在第二方向上的端部沿第三方向突出。

4.根据权利要求3所述的垂直存储器装置，其中，绝缘结构在第三方向上位于合并图案结构中的每个水平处的导电线之间。

5.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，垫图案位于合并图案结构的阶梯的暴露部分的在第二方向上的边缘处。

6.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，单元接触塞接触合并图案结构中的垫图案中的一个垫图案，并且单元接触塞穿过合并图案结构中的所述一个垫图案下方的绝缘结构。

7.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，栅电极的延伸部、连接线、导电线和垫图案被合并为包括相同导电材料的一个连接结构。

8.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，单元接触塞包括接触导电材料的第一底部部分和接触导电材料与垫图案之间的层的第二底部部分。

9.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，单元接触塞穿过合并图案结构中的垫图案中的一个垫图案，并且接触包括在所述一个垫图案中的孔的至少侧壁。

10.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，单元接触塞与合并图案结构中的垫图案中的一个垫图案的上表面和侧壁接触，并且单元接触塞穿过在第三方向上与垫图案中的所述一个垫图案相邻的合并图案结构的绝缘材料。

11.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中：

垫图案包括穿过垫图案的孔，

单元接触塞包括：

第一部分，在第一方向上穿过合并图案结构的垫图案中的一个垫图案，

第二部分，在第一方向上穿过与垫图案中的所述一个垫图案相邻的合并图案结构的绝缘材料，以及

第三部分，与所述一个垫图案的上表面接触，并且连接到第一部分和第二部分。

12.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中：

垫图案包括穿过垫图案的多个孔，

单元接触塞包括：

多个第一部分，穿过所述多个孔，以及

第二部分，与垫图案的上表面接触，并且连接到所述多个第一部分。

13.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括：

电路图案，形成在基底上，以及

下垫图案，电连接到电路图案并设置在最下面的栅电极下方，下垫图案与单元接触塞接触。