[发明专利]一种高大功率高重频的半导体激光器驱动电路

权利要求书

1.一种高大功率高重频的半导体激光器驱动电路，其特征在于，包括:

一个充电电路，与所述充电电路连接的放电电路，所述放电电路包括多个可同时放电或单独放电的放电回路，所述放电回路包括多个并联设置的子模块，多个所述子模块并联后的输入端共同与一个接在所述充电电路的输出端与子模块之间的激光器模块连接，从而形成多个所述放电回路；所述充电电路的输出端与多个并联设置的子模块的输入端相连接而形成所述充电回路：

所述子模块包括电阻Rn、电容Cn、MOS管Mn，电阻Rn的另一端与电容Cn一端相连，电容Cn的另一端与MOS管Mn的漏极相连，MOS管Mn的栅极与MOS管驱动芯片的输出端相连，MOS管Mn的源极与GND相连。

2.根据权利要求1所述高大功率高重频的半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述激光器模块包括激光器D3、防止放电回路反向电流过大烧坏激光器D3的二级管D2以及MOS管M2，激光器D3的阳极与至少一个子模块的电阻Rn的一端相连，阴极与MOS管M2的漏极相连，MOS管M2的栅极与第二MOS管驱动芯片的输出端相连，MOS管M2的源极与GND相连，二极管D2的阳极与激光器D3的阴极相连，二极管D2的阴极与激光器D3的阳极相连，第二MOS管驱动芯片用于在驱动信号signal_2的控制下快速开断MOS管M2。

3.根据权利要求2所述高大功率高重频的半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述充电电路包括电源V1、电感L1、二极管D1以及MOS管M1；电感L1的一端与电源V1相连，另一端与MOS管M1的漏极以及二极管D1的阳极相连，MOS管M1的栅极与第一MOS管驱动芯片的输出端相连，源端与GND相连，所述第一MOS管驱动芯片用于在驱动信号signal_1的控制下快速开断MOS管M1。

4.根据权利要求3所述高大功率高重频的半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述的二极管D1的阴极与子模块的电阻Rn的一端相连。