[发明专利]高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910665900.0 申请日: 2019-07-23
公开(公告)号: CN110473959B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 翟继卫;吴双昊;沈波 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: H01L41/187 分类号: H01L41/187;H01L41/39
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 陈亮
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 压电 系数 钛酸铋钠基无铅 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜,其特征在于,该无铅压电薄膜化学组成为(0.94-x)Bi0.5Na0.5TiO3–0.06BaTiO3–xBiInO3,其中x为摩尔分数,x=0~0.015,且不为0;

钛酸铋钠基无铅压电薄膜的厚度为300~500纳米;

采用金属有机物热分解法制备得到前驱体并涂覆在基片上,包括:

称取正四丁醇钛和乙酰丙酮并将其溶于乙二醇甲醚,室温搅拌得到前驱体溶液A;

称取硝酸铋或其水合物、乙酸钠或其水合物、乙酸钡和硝酸铟或其水合物并将其溶于乙酸,20~70℃搅拌得到前驱体溶液B;

将前驱体溶液A和前驱体溶液B混合,加入氨水调节pH值至溶质完全溶解,加入乙酸将混合溶液的浓度调整为0.1~0.4摩尔/升后在室温下搅拌制得前驱体溶液;

将基片清洗干净并吹干;

将制备得到的前驱体溶液涂覆在基片上,制备得到具有高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜。

2.根据权利要求1所述的高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜,其特征在于,x的取值优选为0.005。

3.如权利要求1或2所述的高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜的制备方法,其特征在于,采用金属有机物热分解法制备得到前驱体并涂覆在基片上,包括:

称取正四丁醇钛和乙酰丙酮并将其溶于乙二醇甲醚,室温搅拌得到前驱体溶液A;

称取硝酸铋或其水合物、乙酸钠或其水合物、乙酸钡和硝酸铟或其水合物并将其溶于乙酸,20~70℃搅拌得到前驱体溶液B;

将前驱体溶液A和前驱体溶液B混合,加入氨水调节pH值至溶质完全溶解,加入乙酸将混合溶液的浓度调整为0.1~0.4摩尔/升后在室温下搅拌制得前驱体溶液;

将基片清洗干净并吹干;

将制备得到的前驱体溶液涂覆在基片上,制备得到具有高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜。

4.根据权利要求3所述的高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜的制备方法,其特征在于,所述基片为Pt/TiOx/SiO2/Si基片。

5.根据权利要求4所述高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜的制备方法,其特征在于,清洗基片时,首先在丙酮中超声清洗,然后在蒸馏水中超声清洗,最后在乙醇中超声清洗。

6.根据权利要求4所述高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜的制备方法,其特征在于,清洗后的基片用高纯氮气吹干或用匀胶机高速甩干。

7.根据权利要求3所述高逆压电系数的钛酸铋钠基无铅压电薄膜的制备方法,其特征在于,采用旋转涂覆在基片上涂覆前驱体溶液,在室温下在清洗吹干的基片上进行一次旋转涂覆,旋转速度为2000~4000转/分钟,匀胶时间为20~60秒;涂覆完成后,在100~250℃下热处理3~5分钟,在350~450℃下热处理3~5分钟,在700~750℃下热处理5~10分钟,上述热处理操作循环数次,至薄膜厚度达到预期,最终在700~750℃下退火处理30~60分钟完成涂覆。

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