[发明专利]一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：

步骤1，在基体表面制备得到晶粒尺寸小于或等于300nm的小晶粒钙钛矿ABX3薄膜；

步骤2，将含有步骤1制备的小晶粒钙钛矿ABX3薄膜的基体转移到含有AX的饱和气氛的密闭装置中，加热到50-400℃的温度保温5-90min，制备得到准单晶钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中，50-400℃的温度下AX的饱和蒸汽支持钙钛矿膜维持稳定的钙钛矿而不会分解为晶界难以移动的物质，这段保温时间内钙钛矿晶粒在扩散作用下发生快速长大，制备得到准单晶钙钛矿薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所制备的准单晶钙钛矿薄膜中晶粒横向尺寸超过薄膜厚度的5倍。

4.根据权利要求1所述的一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中制备小晶粒钙钛矿ABX3薄膜的方法为：一步溶液旋涂法、两部溶液浸渍法或双源气相沉积法；

一步溶液旋涂法和两部溶液浸渍法中溶剂是N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、γ-羟基丁酸内酯中一种或多种的组合。

5.根据权利要求1所述的一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，钙钛矿ABX3和AX的组分中：

A是CH₃NH₂、HC(＝NH)NH₂、Cs、Rb中一种或多种的组合；

B是Pb、Sn中一种或两种的组合；

X是Cl、Br、I中一种或多种的组合。

6.根据权利要求1所述的一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述的密闭装置包括热压装置(1)；热压装置(1)包括两块热压板(11)；两块热压板(11)之间从下至上依次放置有AX薄膜(2)、隔膜(3)和基板(4)；基板(4)上具有小晶粒钙钛矿ABX3薄膜的一面正对AX薄膜(2)；两块热压板(11)夹紧以在，AX薄膜(2)、隔膜(3)和基板(4)之间形成一个密闭空间，所述小晶粒钙钛矿ABX3薄膜位于该密闭空间内。

7.根据权利要求6所述的一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述隔膜中间中空；隔膜为聚酰亚胺薄膜、铝膜、铜膜、碳膜。

8.根据权利要求6所述的一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：通过热压板(11)加热AX薄膜(2)，达到饱和状态，在密闭空间内保持AX饱和蒸气。

9.根据权利要求1所述的一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：所述小晶粒钙钛矿ABX3薄膜的厚度为100-2000nm。

10.根据权利要求5所述的一种准单晶钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1中小晶粒钙钛矿ABX3薄膜中X与AX的饱和气氛中的X选取的物质相同或者不同。