[发明专利]清洁半导体芯片的方法

说明书

提供了一种清洁半导体芯片的方法，所述方法包括：将第一极性组分施加到位于至少一个半导体芯片的表面上的保护层，以从所述至少一个半导体芯片的所述表面去除颗粒，并使所述颗粒悬浮在所述第一极性组分中；以及将表面张力小于所述第一极性组分的表面张力的第二极性组分施加到所施加的第一极性组分的中心部分，以将所述第一极性组分和所述颗粒推向所述至少一个半导体芯片的外围。

相关申请的交叉引用

于2018年11月8日在韩国知识产权局提交的标题为“Method of Cleaning aSemiconductor Chip and Apparatus for Performing the Same”的韩国专利申请No.10-2018-0136259通过引用整体并入本文。

技术领域

实施例涉及清洁半导体芯片的方法及用于执行该方法的装置。

背景技术

半导体衬底上可能形成有多个CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。可以沿划片道切割半导体衬底以分割或分离开这些CMOS图像传感器。

发明内容

可以通过提供一种清洁半导体芯片的方法来实现实施例，所述方法包括：将第一极性组分施加到位于至少一个半导体芯片的表面上的保护层，以从所述至少一个半导体芯片的所述表面去除颗粒，并使所述颗粒悬浮在所述第一极性组分中；以及将表面张力小于所述第一极性组分的表面张力的第二极性组分施加到所施加的第一极性组分的中心部分，以将所述第一极性组分和所述颗粒推向所述至少一个半导体芯片的外围。

可以通过提供一种清洁CMOS图像传感器的方法来实现实施例，所述方法包括：通过将第一极性组分施加到至少一个CMOS图像传感器的表面上来溶解其上的丙烯酸类聚合物层，使得可以从所述至少一个CMOS图像传感器的所述表面去除颗粒并使所述颗粒悬浮在所述第一极性组分中；将表面张力可以小于所述第一极性组分的表面张力的第二极性组分施加到所施加的第一极性组分的中心部分，以将所述第一极性组分和所述颗粒推向所述至少一个CMOS图像传感器的外围；将去离子水喷射到所述至少一个CMOS图像传感器；以及从所述至少一个CMOS图像传感器的所述表面干燥所述去离子水。

可以通过提供一种用于清洁半导体芯片的装置来实现实施例，所述半导体芯片包括位于其表面上的保护层，所述装置包括：第一喷嘴，所述第一喷嘴布置为在位于所述半导体芯片的表面上的所述保护层上方，并且将第一极性组分施加到所述保护层以从所述半导体芯片的所述表面去除颗粒并使所述颗粒悬浮在所述第一极性组分中；以及第二喷嘴，所述第二喷嘴布置为在所述保护层上方并将表面张力小于所述第一极性组分的表面张力的第二极性组分施加到所施加的第一极性组分的中心部分，以将所述第一极性组分和所述颗粒推向所述半导体芯片的外围。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是显而易见的，在附图中：

图1至图6示出了在使用根据示例实施例的清洁装置清洁半导体芯片的方法中的各阶段的截面图；以及

图7示出了根据示例实施例的清洁半导体芯片的方法的流程图。

具体实施方式

图1至图6示出了在使用根据示例实施例的清洁装置清洁半导体芯片的方法中的各阶段的截面图，图7示出了根据示例实施例的清洁半导体芯片的方法的流程图。

参照图1和图7，在操作ST210中，可以在卡盘110的上表面上设置半导体芯片C。在一种实施方式中，可以在卡盘的上表面上设置带T(半导体芯片C可以附着到该带T)。可以通过切割半导体衬底来形成半导体芯片C。半导体芯片C可以包括CMOS图像传感器。