[发明专利]用于太阳能电池的化学气相沉积设备

权利要求书

1.一种用于太阳能电池的化学气相沉积CVD设备，该CVD设备用于沉积掺杂多晶硅层，所述CVD设备包括：

室，该室具有内空间，多个硅晶圆竖直地布置在所述室的所述内空间中；和

多个喷头，所述多个喷头被构造为朝向所述多个硅晶圆的侧边缘喷射由硅沉积气体和杂质气体组成的混合气体。

2.根据权利要求1所述的CVD设备，其中，所述多个喷头布置在所述多个硅晶圆的两侧处。

3.根据权利要求2所述的CVD设备，其中，所述多个喷头中的每一个喷头具有喷射所述混合气体的多个孔。

4.根据权利要求1所述的CVD设备，该CVD设备还包括流量控制单元，该流量控制单元用于分别控制所述硅沉积气体和所述杂质气体的流量，并且将所述混合气体供给到所述多个喷头，

其中，所述流量控制单元将没有所述杂质气体的所述硅沉积气体选择性地供给到所述多个喷头。

5.根据权利要求1所述的CVD设备，其中，所述内空间沿第一方向伸长，能够供所述多个硅晶圆进入和离开的门沿着所述第一方向安装在所述室的前侧处，能够供气体逸散的通风口沿着所述第一方向安装在所述室的后侧处，并且所述多个喷头位于室壁与所述多个硅晶圆的侧边缘之间。

6.根据权利要求5所述的CVD设备，其中，所述多个喷头中的每一个喷头沿所述第一方向从所述室的外部延伸到内部，并且连接到供给所述混合气体的管，

其中，所述管没有孔，并且

其中，所述多个喷头中的每一个喷头连接到所述管的末端，并且围绕所述多个硅晶圆沿着所述室的壁面沿与所述第一方向相交的第二方向伸长。

7.根据权利要求6所述的CVD设备，其中，所述多个喷头中的每一个喷头从所述管的末端沿着所述室的所述壁面在所述第二方向上具有圆形形状，并且

其中，所述多个喷头中的每一个喷头具有喷射所述混合气体的多个孔，所述多个孔在所述多个喷头中的每一个喷头的纵向上彼此分离。

8.根据权利要求6所述的CVD设备，其中，所述多个喷头中的每一个喷头具有喷射所述混合气体的多个孔，所述多个孔的开口方向从所述多个喷头中的每一个喷头指向所述室的所述内空间的中心。

9.根据权利要求1所述的CVD设备，该CVD设备还包括舟，该舟布置在所述室中并沿所述第一方向设置，

其中，所述多个硅晶圆竖直布置并沿水平方向排布在所述舟中。

10.根据权利要求1所述的CVD设备，其中，所述多个喷头包括第一子喷头，该第一子喷头将所述混合气体喷射在与所述门相邻的、所述舟的前部上；

第二子喷头，该第二子喷头将所述混合气体喷射在所述舟的中央部上；以及

第三子喷头，该第三子喷头将所述混合气体喷射在与所述通风口相邻的、所述舟的后部上。