[发明专利]一种双NMOS构建的电源入口保护电路在审
| 申请号： | 201910666712.X | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110289592A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王少峰;张金鹰 | 申请（专利权）人： | 陕西瑞迅电子信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08;H02H3/087;H02H3/20;H02H11/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 邓星文 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区软件*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护器件 偏置电路 三极管 电压检测电路 电源入口 构建 过流保护电路 输出端 电路 电路生产 电压稳定 电压增强 反向导通 截止状态 开启电压 输入端 击穿 导通 负压 输出 | ||
1.一种双NMOS构建的电源入口保护电路，其特征在于，包括过流保护电路、电压检测电路、三极管偏置电路和双NMOS电路，还包括反向保护器件，所述电压检测电路的输入端与所述过流保护电路的输出端相连接，所述电压检测电路的输出端与所述三极管偏置电路的输入端相连接，所述三极管偏置电路的输出端与所述双NMOS电路相连接，所述反向保护器件设置于所述三极管偏置电路和双NMOS电路之间；
其中，所述反向保护器件起反向保护作用，当双NMOS电路中的MOS管栅极电压增强，大于其开启电压时，双NMOS电路导通；当MOS管栅极负压时，双NMOS电路为截止状态，反向保护器件反向导通，保护双NMOS电路不被击穿。
2.根据权利要求1所述的一种双NMOS构建的电源入口保护电路，其特征在于，所述过流保护电路包括热敏电阻F1，所述热敏电阻F1的输入端与电源正极相连接，所述热敏电阻F1的输出端与所述电压检测电路的输入端相连接。
3.根据权利要求2所述的一种双NMOS构建的电源入口保护电路，其特征在于，所述反向保护器件为肖特基二极管D3。
4.根据权利要求3所述的一种双NMOS构建的电源入口保护电路，其特征在于，所述电压检测电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、三极管Q1和稳压二极管D2，所述电阻R1的第一端与所述热敏电阻F1的输出端相连接，所述电阻R2的第二端与电源负极相连接，所述电阻R1的第二端与所述电阻R2的第一端相连接，所述稳压二极管D2的负极与所述电阻R1的第二端相连接，所述稳压二极管D2的正极与所述三极管Q1的基极相连接，所述三极管Q1的集电极与所述双NMOS电路的输入端相连接，所述三极管Q1的发射极与所述肖特基二极管D3的正极相连接，所述肖特基二极管D3的负极与电源的负极相连接。
5.根据权利要求4所述的一种双NMOS构建的电源入口保护电路，其特征在于，所述电阻R3的第一端与所述电阻R1的第一端相连接，所述电阻R4的第二端与所述肖特基二极管D3的负极相连接，所述电阻R3的第二端与所述电阻R4的第一端相连接。
6.根据权利要求5所述的一种双NMOS构建的电源入口保护电路，其特征在于，所述双NMOS电路包括NMOS管Q2和NMOS管Q3，所述NMOS管Q2和NMOS管Q3串联，所述NMOS管Q2和NMOS管Q3的源极与所述电阻R4的第二端相连接，所述NMOS管Q2和NMOS管Q3的栅极与所述三极管Q1的集电极相连接。
7.根据权利要求6所述的一种双NMOS构建的电源入口保护电路，其特征在于，所述NMOS管Q2和NMOS管Q3的漏极与电源负极相连接。
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