[发明专利]一种快速提升染污硅橡胶材料界面复涂结合性能的方法

说明书

本发明公开了一种快速提升染污硅橡胶材料界面复涂结合性能的方法，包括以下步骤：通过放电产生低温等离子体射流，并将所述低温等离子体射流喷射在所述染污硅橡胶材料的表面上，使所述染污硅橡胶材料的界面复涂结合性能快速提升。本发明提出的快速提升染污硅橡胶材料界面复涂结合性能的方法，对提升染污硅橡胶材料涂层的复涂效果具有显著作用，保证了防污闪的效果。

技术领域

本发明涉及高压外绝缘技术领域，尤其涉及一种快速提升染污硅橡胶材料界面复涂结合性能的方法。

背景技术

在电力系统行业中，硅橡胶材料广泛应用于污秽地区的污闪事故防治。对于线路上的瓷绝缘子和玻璃绝缘子，通常涂覆室温硫化硅橡胶(RTV)防污闪涂料。硅橡胶材料表面具有的憎水性，在雨雾、溶冰、溶雪等恶劣气象条件下，涂有RTV防污闪涂料的绝缘子表面不易形成连续的水膜，污层电导低，泄露电流小，对于局部干区的形成、局部电弧的产生有抑止作用，难以进一步发展为外绝缘闪络。运行一段时间，RTV涂层表面积污后，硅橡胶材料表面的憎水性可以迁移到污层表面，在相同污秽度下，其污闪电压可以达到相同泄露距离绝缘子的两倍以上。

然而，涂覆有RTV涂料的瓷绝缘子和玻璃绝缘子在长期运行后，涂层局部不可避免出现脱落、龟裂、起皮以及漏电起痕、蚀损等现象，防污闪性能下降，需要进行复涂。长期运行之后的涂层表面含有脏污的很多会嵌入涂层中，在复涂前难以彻底清洁；表面含有的脏污使得新涂层与原涂层的结合性能下降。因此需要一种能够快速提升含脏污硅橡胶材料界面复涂结合性能的有效方法。

以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本发明的构思及技术方案，其并不必然属于本专利申请的现有技术，在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日已经公开的情况下，上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提出一种快速提升染污硅橡胶材料界面复涂结合性能的方法，对提升染污硅橡胶材料涂层的复涂效果具有显著作用，保证了防污闪的效果。

为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明公开了一种快速提升染污硅橡胶材料界面复涂结合性能的方法，包括以下步骤：通过放电产生低温等离子体射流，并将所述低温等离子体射流喷射在所述染污硅橡胶材料的表面上，使所述染污硅橡胶材料的界面复涂结合性能快速提升。

优选地，所述放电步骤具体采用介质阻挡的形式来进行放电。

优选地，所述染污硅橡胶材料是表面粘附有污秽物的涂覆有室温硫化硅橡胶涂料的输变电器装备器件，例如瓷绝缘子或玻璃绝缘子。

优选地，所述染污硅橡胶材料的表面粘附的污秽物为结构致密的含盐无机污秽，其中的含盐无机污秽为包括钠盐、钙盐、镁盐、铝盐、铵盐中的至少一种的无机污秽。

优选地，其中所述污秽物与所述染污硅橡胶材料的表面之间还存在界面过渡层，且在所述界面过渡层中所述染污硅橡胶材料的成分与所述污秽物的成分之间相互交织渗透，所述界面过渡层的厚度小于100nm。

优选地，所述污秽物与所述染污硅橡胶材料的表面相互嵌套以形成“染污硅橡胶材料基体-界面过渡层-污秽物”的三明治结构。

优选地，所述染污硅橡胶材料的表面上粘附的污秽物的灰密为0～3.0mg/cm²。

优选地，所述低温等离子体射流的温度不超过60℃。

优选地，将所述低温等离子体射流喷射在染污硅橡胶材料的表面上时，每平方厘米面积的处理时间大于或等于5s。

优选地，利用介质阻挡放电产生低温等离子体射流具体包括：利用石英管阻挡放电产生低温等离子体射流。